冲击电流驱动下半导体激光器的快速响应研究-激光与红外.pdf

第４８卷　 第２期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４８，Ｎｏ．２ 　 ２０１８年２月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｆｅｂｒｕａｒｙ，２０１８ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１８）０２０１８６０５ ·激光器技术 · 冲击电流驱动下半导体激光器的快速响应研究 邓　丽，张　涛，许　博，李亭亭 （四川大学制造科学与工程学院，四川 成都６１００６５） 摘　要：基于半导体激光器的单模速率方程，采用典型参数对其进行建模仿真，仿真结果表明： 半导体激光器在初期的光子受激辐射速率随着注入电流的增大而增加，上升时间随着注入电 流的增大而减少。但对于固定功率限制范围的半导体激光器，不能通过直接增大注入电流来 减少上升时间，考虑到半导体激光器的发热问题，提出了一种在正常脉冲发光电流前端加入冲 击电流来减少半导体激光器发射脉冲上升时间的方法，保证了半导体激光器的稳定输出。通 过仿真对该方法进行验证，并对型号为ＰＬＴＢ４５０Ｂ半导体激光器进行了测试。仿真结果与测 试结果均表明：通过加入冲击电流的方法，可以大大减少固定功率的半导体激光器发射脉冲的 上升时间。 关键词：半导体激光器；单模速率方程；受激辐射速率；上升时间；冲击电流 中图分类号：ＴＮ２４８４　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１８．０２．０１０ Ｆａｓｔｒｅｓｐｏｎｓｅｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒｄｒｉｖｅｎｂｙｉｍｐｕｌｓｅｃｕｒｒｅｎｔ ＤＥＮＧＬｉ，ＺＨＡＮＧＴａｏ，ＸＵＢｏ，ＬＩＴｉｎｇｔｉｎｇ （ＭａｎｕｆａｃｔｕｒｅＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＣｏｌｌｅｇｅ，ＳｉｃｈｕａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈｅｎｇｄｕ６１００６５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｂａｓｅｄｏｎｓｉｎｇｌｅｍｏｄｅｒａｔｅｅｑｕａｔｉｏｎｓｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒ，ｔｈｅｔｙｐｉｃａｌｐａｒａｍｅｔｅｒｓａｒｅｕｓｅｄｔｏｍｏｄｅｌａｎｄ ｓｉｍｕｌａｔｅｔｈｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒＴｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｉｎｉｔｉａｌｐｈｏｔｏｎｓｔｉｍｕｌａｔｅｄｅｍｉｓｓｉｏｎｒａｔｅｏｆｔｈｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒｉｎｃｒｅａｓｅｓｗｉｔｈｔｈｅｉｎｃｒｅａｓｅｏｆｔｈｅｉｎｊｅｃｔｉｏｎｃｕｒｒｅｎｔ，ｔｈｅｒｉｓｅｔｉｍｅｒｅｄｕｃｅｓｗｉｔｈｔｈｅｉｎｃｒｅａｓｅｏｆｉｎ ｊｅｃｔｉｏｎｃｕｒｒｅｎｔＢｕｔｆｏｒａｆｉｘｅｄｐｏｗｅｒｌｉｍｉｔｅｄｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒ，ｔｈｅｒｉｓｅｔｉｍｅｃａｎ′ｔｂｅｒｅｄｕｃｅｄｂｙｄｉｒｅｃｔｌｙｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ ｔｈｅｉｎｊｅｃｔｉｏｎｃｕｒｒｅｎｔＣｏｎｓｉｄｅｒｉｎｇｔｈｅｈｅａｔｉｎｇｐｒｏｂｌｅｍｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒ，ａｍｅｔｈｏｄｏｆａｄｄｉｎｇａｎｉｍｐｕｌｓｅｃｕｒｒｅｎｔ ｉｎｔｈｅｆｒｏｎｔｏｆｔｈｅｎｏｒｍａｌｌｕｍｉｎｏｕｓｐｕｌｓｅｃｕｒｒｅｎｔｔｏｒｅｄｕｃｅｔｈｅｒｉｓｅｔｉｍｅｏｆｔｈｅｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｄｐｕｌｓｅｏｆｔｈｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｌａｓｅｒｉｓｐｒｏｐｏｓｅｄ，ｗｈｉｃｈｅｎｓｕｒｅｓｔｈｅｓｔａｂｌｅｏｕｔｐｕｔｏｆｔｈｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒＴｈｅｍｅｔｈｏｄｉｓｖｅｒｉｆｉｅｄｂｙｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ，ａｎｄ ｔｈｅＰＬＴＢ４５０ＢｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒｉｓｔｅｓｔｅｄＴｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓａｎｄｔｅｓｔｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｒｉｓｅｔｉｍｅｏｆｔｈｅ ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｄｐｕｌｓｅｏｆｔｈｅｆｉｘｅｄｐｏｗｅｒｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔ