TI C2000系列DSP FLASH烧写解决方案.ppt

TI C2000 系列DSP FLASH 烧写解决方案 综述 第一章：F28x FLASH 特点和应用 这部分主要讲述以下几方面内容： F28x Flash的特点 F28x Flash的存储器映像 F28x Flash的电源模式 F28x Flash的访问 F28x Flash流水线 F28x Flash的寄存器 F28x Flash的特点 F28x Flash的存储器映像 F28x Flash的存储器映像 F280x 与F281x 在Flash上的差别 F28x Flash的电源模式 复位和休眠状态—复位状态、最低功耗 待机状态– CPU读和取指访问都将暂停CPU 激活或读状态– 最大功耗 变为低功耗：改变PWR模式位 变为高功耗：改变FPWR寄存器 通过读访问或程序取指操作 F28x Flash的访问 CPU对FLASH的读或取指操作有如下形式： 32位取指指令 16位或32位数据空间读操作 16位程序空间读操作 存储器访问类型： Flash存储器随机访问 Flash存储器页访问 NOTES：对存储器应先取得写操作被忽略 保护后读操作是正常的周期但返回0 支持零等待访问但CPU需要适应访问时间 F28x Flash 流水线模式 Flash一般用于保护用户代码。为了改善代码执行性能，采用了Flash流水线模式。 通过FOPT寄存器中的ENPIPE位控制流水线模式使能 该模式独立于CPU流水线 该模式下使用了预取机能，减少了Flash对整个代码执行过程的影响。 改善了FLASH代码执行效率。 F28x Flash 寄存器 Flash选择寄存器FOPT Flash电源寄存器FPWR Flash状态寄存器FSTATUS Flash待机等待寄存器FSTDBYWAIT Flash待机到激活等待计数器寄存器FACTIVEWAIT Flash等待状态寄存器FBANKWAIT 以上寄存器的设置，已经包含在相应的FLASH烧写工具中。不在此详细介绍，可以通过TI的相关文档和CCS中包含的用户手册进行查询。FLASH的烧写过程不包括这些寄存器的设置，对参数设置的过程实际上就是通过TI或第三方软件对寄存器的设置。 第二章： F28x Flash烧写基础 本部分主要讲述以下几方面内容： Flash烧写的硬件条件 Flash算法相关描述 Flash的烧写步骤 -擦写操作 -编程操作 F28x Flash 烧写的硬件条件 具备什么样的硬件条件才可以进行烧写 Flash操作 Flash必须是完好的。 Flash有可能因为意外导致毁坏，比如在擦写过程中断电或死机。此时虽然DSP程序可以在RAM中运行但是除非更换DSP，否则无法再进行Flash烧写。 CSM必须是可用的。 您必须是设备的合法使用者。Flash受CSM的保护。Flash的烧写必须处于非安全模式下（CSM unlock）。 VDD3VFL管脚必须可靠接到3.3V电源上。 Flash的编程和读出都需要这个电源，必须被连接。 Notes: 当该电源未连接时，口线输出也有可能是3.3V。而且某些TI评估板上在此处放置了跳线或未焊接的电阻封装。因此必须通过相应测试切实保证这个电压正常。 F28x Flash 执行算法的一般要求 F281x的设备编程以后是通过时间边缘算法 （time-critical algorithms）在DSP上执行的 这个算法包含一个时间边缘的延时环 这个算法必须在单周期的SARAM中执行 必须根据DSP的时钟频率来设置这个算法 为了保证程序可以正确执行，应该在系统最快的时钟频率上执行这个算法 这个算法绝对不能使用中断 这个算法是FLASH编程的基本构架算法，它可以通过相应的插件、工具或自行编写的API程序实现。以上是Flash烧写的基本要求。 F28x Flash 编程算法的操作 Flash烧写的操作包括如下两个基本步骤： 擦写 擦写算法的执行结果通常是将FLASH的一个段中的所有的位都置成1。 这个擦写算法包含以下3个步骤： 擦除：将一个段中所有的位都置0。 擦写：将一个段中所有的位都置1。 效验：纠正所有耗尽的位，保证所有位都变成1。 编程 编程算法的执行结果是将应用代码或数据中的特定位改写成0。 F28x Flash 的擦写操作 Flash擦写操作的相关描述 Flash的出厂设置是已经擦写过的状态。也就是所有Flash段中的位都是1。 这个擦写算法是将一个段中所有的位都置1。