硅PNP双极型晶体管(器件工艺技术).pptVIP

硅PNP双极型晶体管PNP Bipolar Junction Transistors;目录（1）器件的应用（2）器件的结构及名称（3）器件的制作工艺（4）器件的发展历程（5）双极型器件的扩展;一、器件的应用;;;三极管俯视图;三、器件的制作工艺;集成10 半导体制造工艺;;集成10 半导体制造工艺;集成10 半导体制造工艺;集成10 半导体制造工艺;集成10 半导体制造工艺;集成10 半导体制造工艺;集成10 半导体制造工艺;集成10 半导体制造工艺;集成10 半导体制造工艺;集成10 半导体制造工艺;集成10 半导体制造工艺;集成10 半导体制造工艺;集成10 半导体制造工艺;四.双极结型晶体管的发展历史;;异质结双极性晶体管（heterojunction bipolar transistor）是一种改良的双极性晶体管，它具有高速工作的能力。研究发现，这种晶体管可以处理频率高达几百GHz的超高频信号，因此它适用于射频功率放大、激光驱动等对工作速度要求苛刻的应用。 异质结是PN结的一种，这种结的两端由不同的半导体材料制成。在这种双极性晶体管中，发射结通常采用异质结结构，即发射极区域采用宽禁带材料，基极区域采用窄禁带材料。常见的异质结用砷化镓（GaAs）制造基极区域，用铝-镓-砷固溶体（AlxGa1-xAs）制造发射极区域。[1]:101采用这样的异质结，双极性晶体管