非晶硅微测辐射热探测器的现状与发展.pdfVIP

SEMICONDUCTOROPTOE ECTRONICS　Vol.30 No.2 Apr.2009 1 2 2 1 1 1 龚宇光, 李　伟, 蒋亚东, 陈　超 , 蔡海洪, 李　志 ( 1.;2., 610054) 　:　基于非晶硅薄膜材料的微测辐射热探测器凭借其成本低、结构简单、可大规模 产 等优势, 在过去十几年间发展迅速, 其焦平面阵列由最初的160×120 小规模发展到目前的1 024× 768 大规模, 像元间距也由50μm 减少到17μm。 简要介绍了作为微测辐射热探测器的热敏电阻材 料的优缺点, 重点评述了具有代表性的非晶硅微测辐射热探测器的研究现状及发展趋势。 :　;;;; :TN214 　:A 　:1001-5868(2009)02-0172-06 Recent Development and Status of Amorphous Silicon Microbolometers