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氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响!-物理学报.pdf

氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响!-物理学报.pdf

    第卷第期年月物理学报氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响陈静金国钧马余强南京大学物理系南京淮阴师范学院物理系淮安年月日收到年月日收到修改稿从实验和理论上阐述了氧空位对掺杂半导体磁性能的影响采用磁控溅射法在不同的氧分压下制备了薄膜研究了氧分压对薄膜磁性能的影响实验结果表明高真空条件下制备的薄膜具有室温铁磁性提高氧分压后制备的薄膜铁磁性逐渐消失第一性原理计算表明在掺杂体系中引入氧空位有利于降低铁磁态的能量铁磁态的稳定性与氧空位和之间的距离密切相关关键词掺杂稀磁半导体第一性原理计算氧空位缺陷和理论研

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