CMOS图像传感器发展现状.docxVIP

第 20 卷第 1 期半 导 体 光 电Vol . 20 No. 11999 第 20 卷第 1 期 半 导 体 光 电 Vol . 20 No. 1 1999 年 2 月 Semico nductor Op toelect ro nics Feb. 1999 CMOS 图像传感器发展现状 ① 赵文伯 刘俊刚 (重庆光电技术研究所 ,重庆 400060) 摘 要 : 关键词 : 文章主要介绍了 CMO S 图像传感器的结构 、单元电路 、发展背景及其发展现状 。 CMO S 图像传感器 有源像素传感器 中图法分类号 : TP732 Recent progress in research on CMOS image sensor ZHAO Wenbo L IU J ungang ( Chongqing Optoelectron ics Research Institute , Chongqing 400060 , CHN) Abstract : The current architect ure of CMO S senso r and circuit s fo r pixels are described. The histo rical backgro und and recent develop ment tendency in t his field are p resented. Key words : CMO S , Image Senso r ,Active Pixel Senso r 即 CMO S 图像传感器 。 到 80 年代中期 , CMO S 技术逐渐成熟 。90 年 代初期 ,可为数字系统设计百万个或更多晶体管 。 采用标准 CMO S 技术生产实用像元尺寸质量高的 固体图像传感器已成为可能 。已能够制作出尺寸比 可见光波长小的 CMO S 晶体管结构 ,可以在一个像 元内集成多个晶体管 。采用 CMO S 技术可以将图 像传感器阵列 、驱动和控制电路 、信号处理电路 、模/ 数转换器 、全数字接口电路等完全集成在一起 ,可以 实现单芯片成像系统 。这种片上摄像机用标准逻辑 引言 1 70 年代初期 ,随着 MO S 技术的成熟 ,三种典型 的固体图像传感 ———电荷耦合器件 ( CCD) 、电荷注 入器件 ( C ID) 、光敏二极管阵列 ( PDA) 得到了发展 。 到 80 年代中期 ,基于这三种固体图像传感器技术的 摄像机逐渐投放市场 。在这三种固体图像传感器 中 ,CCD 发展最为迅速 。到 90 年代初 , CCD 技术已 比较成熟 ,在微光下 ,具有每个像元几个电子的成像 能力 ,且 CCD 技术已得到非常广泛的应用 。目前出 售的每种摄录机和 PC 相机都是基于 CCD 技术 。 随着 CCD 应用范围的扩大 ,其缺点逐渐显露出 来 。CCD 光敏单元阵列难与驱动电路及信号处理 电路单片集成 ,不易处理一些模拟和数字功能 ,这些 功能包括模/ 数转换器 、精密放大器 、存贮器 、运算单 元等元件的功能 ; CCD 阵列驱动脉冲复杂 , 需要使 用相对高的工作电压 ,不能与深亚微米超大规模集 成( VL S I) 技术兼容 。为此 ,人们又开发了另外几种 固体图像传感器技术 ,其中 ,最引人注目最有发展潜 力的是采用标准的 CMO S 技术来生产图像传感器 , 1 电源电压工作 ,仅消耗几十毫瓦的功率 。 本文将介绍 CMO S 图像传感器的历史背景 ,描 述其基本结构 ,像元电路及其发展现状 。 历史背景 2 CMO S 图像传感器能够快速发展 , 一是基于 CMO S 技术的成熟 ,二是得益于固体图像传感器技 术的研究成果 。到 1997 年 ,已有采用 0 . 15μm 设计 规则 ,试制成功了集成度高达 8 . 8 ×109 个元件的集 成电路的报道2 ,实用 CMO S 技术的特征尺寸已达 到 0 . 35 μm 。 ①1998 - 07 - 13 收稿 ;1998 - 10 - 10 定稿 半 导体 光 电1999 年 2 月1 半 导 体 光 电 1999 年 2 月 12 在 CMO S 图像传感器和 CCD 像感器诞生之 前 ,已经有 MO S 像感器了 。60 年代 ,有许多研究机 构采用 N MO S , PMO S 或双极工艺技术研究固体图 像传感器 , 并取得了不同程度的成功 。1963 年 , Mo rriso n 报道了一种用光导效应测定光斑位置的结 构 。1964 年 , IBM 报道了通过一个电阻网络寻址的 n - p - n 结阵列扫描器 ,这种扫描器产生与入射光 强成比例的输出脉冲 。1966 年