pss的生产工艺及原理.ppt

* * 2.5 曝光工艺控制 1、环境影响 2、光刻胶影响 3、曝光灯 4、掩膜板工艺 5、晶片质量 6、曝光时间、强度分布 7、聚集、步进设置等 2.5 曝光工艺——能量 2.5曝光工艺——DOF 2.5 曝光工艺——ALIGNMENT 对准机制：在wafer曝光台上有一基准标记，可以把它看作是坐标系的原点，所有其它的位置都相对该点来确定，分别将掩模版和硅片与该基准标记对准就可确定它们的位置，在确定了二者的位置后，掩模版上的图形转移到硅片上就完成了对准过程；在多次光刻中，除了第一光刻以外，其余层次的光刻在曝光前都要将该层次的图形与以前层次留下的图形对准。 三角 拼接异常 2.5 曝光缺陷 2.6 后烘 使曝光后光刻胶中有机溶剂得到挥发 减少驻波影响 主要用于负胶工艺 2.7 显影 用化学显影液将曝光造成的光刻胶的可溶解区域溶解就是光刻胶的显影， 其主要目的就是把掩膜版的图形准确复制到光刻胶中 常见的显影液有：NaOH(Shipley 351），KOH(Shipley 606），TMAH等 2.8 坚膜 坚膜就是通过加温烘烤使光刻胶更牢固地黏附在晶圆表面，并可以增加 胶层的抗刻蚀能力，坚膜并不是一道必需的工艺 好处： 能够改善光刻胶的抗刻蚀、注入能力 改善光刻胶与晶圆表面的黏附性，有利于后续的刻蚀工艺 改善光刻胶中存在的针孔 弊端： 可能导致光刻胶的流动，使其图形精度减低 通常会增加去胶的难度 2.9 光刻质量检查 2.9 光刻质量检查 3、刻蚀 刻蚀设备 刻蚀原理 刻蚀工艺控制 3、ICP ICP设备腔体示意图 系统主要有四部分组成： 1、能量产生系统 2、真空系统 3、温度控制系统 4、气路部分 3.1 ICP设备腔体示意图 ： 3.2 刻蚀原理 3.2 刻蚀原理 3.3 刻蚀工艺控制 3.3 刻蚀工艺控制 产品测试位置 图形高H：1.55±0.15um 图形底B：2.45±0.15um 图形间S：0.55±0.15um 片内图形高度、底径均匀性≤5% 间距均匀性≤10% 三、质量标准 图形高度H：1.35±0.15um 图形底径B：2.45±0.25um 图形间S：0.55±0.25um 片内图形高度、底径均匀性≤5% 间距均匀性≤10% 图形高H：1.55±0.15um 图形底径B：2.2－2.3um或2.6－2.8um 图形间距S：0.3－0.4um或0.6－0.8um 片内图形高度、底径均匀性≤5% 间距均匀性≤10% A2品尺寸标准 （判断时以A品规则优先） A3品尺寸标准 （判断时以A品规则优先） 死区 盲区 污染 彩纹 图形不规则 刮伤 污染 马赛克 彩纹数据 不同马赛克情况PSS衬底LED波长均匀性比较 马赛克效应使波长均匀性变的相对较差。 无马赛克 轻度马赛克 重度马赛克 无马赛克 轻度马赛克 重度马赛克 马赛克效应对样品发光亮度均匀性没有明显影响 不同马赛克情况PSS衬底LED亮度比较 尺寸缺陷 平均高度 H 1.2um，1.8um；底径B2.2um或2.7um；间距S0.8um或0.3um ； 外观缺陷 ????? 关于边宽：边宽 2mm，彩纹2mm，边宽+彩纹?2 mm； ???? ?以面积为单位：刮伤、死区、污染、匀胶缺陷，累计面积10m㎡ ； ??????以曝光场为单位：3.5mm x 3.5mm 曝光场的严重马赛克（马赛克场5个或存在严重突出马赛克的）； ????? 以晶片完整：晶片缺损（如：边沿缺损），碎片（设备故障、人为操作、晶片不良等原因导致）； 不合格品标准 AA品：0分； A品：尺寸符合A标准，外观缺陷为1—2分者 A2品：尺寸符合A2标准、外观缺陷为0—2分且不构成不合格者 A3品：尺寸符合A3标准、外观缺陷为0—2分且不构成不合格者 B1品：单个缺陷分值在3分及以上，含1类外观缺陷且不构成不合格者 B2品：累计缺陷分值在3分及以上，含2类外观缺陷且不构成不合格者 B3品：累计缺陷分值在3分及以上，含3类及以上外观缺陷且不构成不合格者 注： 单个缺陷面积符合上述规则，但累积缺陷面积在0.2m㎡-0.4m㎡—0分； 0.4m㎡ 累积缺陷面积0.8m㎡—1分； 累积缺陷面积≥0.8m㎡—3分；均匀性计算方法：（最大值-最小值）/（最大值+最小值）*100%； 合格品标准 台湾兆巍科技股份有限公司—PSS检测标准 * * farer PSS的生产工艺及原理 许南发 2012年3月6日 PSS介绍 PSS工艺——