第八次课第五章第七节曝光限时电路-2012.pptVIP

末次正半周→GTO ON→Jd ON→JH ON→JH1/2切换→R109上得到负半周脉冲E4→继而对应脉冲E6/E8→最终获得超前交流电负半周零点10 °的同步触发脉冲E10 末次负半周→GTO OFF→Jd OFF→JH OFF→JH1/2维持常态→ R109上得到正半周脉冲E3→继而对应脉冲E5/E7→最终获得超前交流电正半周零点10 °的触发脉冲E9 6、限时电路自检 KB3 ON→经W102/R119向C107/C108充电 自检限时到后→UJT102 ON→SCR103 ON→JX ON→Jf ON并自锁并Jf3 OFF→+24V OFF →JX OFF Jf ON 标志自检通过，说明限时电路工作正常 7、曝光限时开始 SJ ON→Ja ON→JZ ON→同步触发信号经JZ1，超前零点触发SCR101 ON→ （1）JG ON→JG1使Jd释放→做好极性记忆准备 （2）24V电源经D115对C105充电→UJT101起振→B8输出三组触发脉冲→主可控硅触发导通，曝光开始；经D120触发SCR104 ON→GTO 反复通断→跟随记忆脉冲极性 （3）24V电源经D114对RC限时电路充电，限时开始 8、曝光限时到达 限时到达→ UJT102 ON → （1）经D125触发SCR102 ON→UJT101停振→主可控硅过零截止；SCR104由ON转为OFF →GTO记忆末次脉冲极性 （2）经D124触发SCR103 ON →JX ON →Je ON并自锁→Ja OFF →Ja1恢复常开→+24V OFF →JX/JZ/JG OFF →JG1恢复常闭→Jd/JH跟随GTO记忆末次脉冲极性 总结 1、曝光限时的目的和实现方法 2、零相位合闸（同步触发脉冲） 3、KB500限时电路工作原理 4、剩磁的消除原理与实现方法 极性记忆元件 + 同步触发脉冲 第五章第七节曝光限时 * 第五章第七节曝光限时 * 早期电子限时采用电子管、闸流管等 现代限时多采用晶体管、可控硅、集成块等半导体限时元件 第五章第七节曝光限时 * 第七节 曝光限时电路 主要内容 1、曝光限时的目的 2、限时的实现方法 3、零相位合闸 4、KB-500限时电路 5、剩磁的消除 一、概述 （一）限时目的 控制X线曝光时间，以准确控制X线照射量 （二）限时器种类 机械限时器：钟表式、电机式 控时精度低 电子限时器：电子管式、半导体式 控时精度高 （三）限时实现方法 接触器控制 可控硅控制 本质上是控制高压通断 1、控制主回路中接触器通断的方法 （1）限时与电源相位无关 （2）易引起过电压，使绝缘受损 （3）曝光重复性较差 （4）控时相对误差较大 （5）适用于小型X线机 2、控制主回路中可控硅通断的方法 （1）限时与电源的相位有关 （2）零相位接入，避免过电压的产生 （3）曝光重复性好 （4）控时精确，精度可达0.003S （5）适用于大、中型X线机 二、简单限时电路（单结晶体管+接触器） 原理：限时器控制接触器通断，以控制曝光 方法：通过RC充电回路触发控制UJT导通，控制主电路上的接触器通断，实现曝光控时。 单结晶体管UJT 在一个低掺杂N型硅棒上扩散一个高掺杂P区，形成PN结，构成单结晶体管UJT 分为发射极e、基极b1、基极b2，又称为双基极晶体管 UJT特性及应用 特性： 当Ve ↗ 使得Veb1＞VP（峰点电压），UJT ON，rb1↘ ，Ieb1 ↗，放电 ，使得Ve ↘； 当Ve ↘ 使得Veb1＜VV（谷点电压），UJT OFF，rb1↗，Ieb1↘，放电结束，Ve得以再次↗； 只要存在外接电源，无需触发信号，Ve将保持振荡；直至外接电源断开，UJT才会完全停止动作。 振荡：无须外加激励而自行产生的恒稳而持续的信号输出。指在没有外接信号激励的情况下，电路自行将直流电能转变成一定频率、一定幅值的电压或电流信号输出。 应用： a、作阈值开关元件（导通特性） b、与C组成振荡电路（振荡特性） ---- 根据阻容参数设置，以决定导通还是振荡。 充电速率＞放电速率，UJT/C取导通特性 充电速率＜放电速率，UJT/C发生振荡 S1 ON→RY1 ON→RC开始充电，VC由0↗， RY3 ON→限时、曝光同步开始 限时到达→UJT ON→SCR ON→RY2 ON→RY3 OFF→曝光结束 三、限时电路（单结晶体管+双向可控硅）