第3章 场效应晶体管及其放大电路.pptVIP

第三章 场效应晶体管及其放大电路 第一节 场效应晶体管 场效应管的分类 根据结构和工作原理的不同，场效应管可分为两大类： 结型场效应管 N沟道：耗尽型 P沟道：耗尽型 绝缘栅型场效应管 N沟道：增强型和耗尽型 P沟道：增强型和耗尽型 一、增强型绝缘栅场效应晶体管的结构及工作原理 增强型MOS管的结构示意图与符号 a) 结构 b) 增强型N沟道MOS管符号 c) 增强型P沟道MOS管符号 工作原理 UGS对ID及沟道的控制作用:栅源极电压UGS=0时,管子的漏极和源极之间没有导电通道,极间等效电阻很高,漏极电流ID近似为零。 UGS足够大时，由于静电场作用，管子的漏极和源极之间将产生一个导电通道（称为沟道），极间等效电阻较小，在UDS作用下，可以形成一定的漏极电流ID。 增强MOS管电路 特性曲线 N沟道增强型MOS管特性 a)转移特性 b)输出特性 二、耗尽型绝缘栅场效应管的结构及特性 耗尽型MOS管的结构示意图与符号 a) 结构 b) 耗尽型N沟道MOS管符号 c) 耗尽型P沟道MOS管符号 N沟道耗尽型管的特性 a)