第二章硅太阳能电池.pptxVIP

第二章 太阳能电池;2; 太阳能是指太阳内部高温核聚变反应所释放的辐射能：在太阳内部进行的由“氢”聚变成“氦”的原子核反应;太阳能可转换为热能、机械能、电能、化学能等。 ;太阳能利用技术 ;太阳能的光电转换：太阳能电池 ;发展历程;8;太阳能电池的分类;太阳电池种类;11;各类太阳能电池的制造方法及研究状况;种类 ;14;15;16;17;18;19;20;21;22;23;太阳能电池的特性;25;26;27;28;29;太阳电池材料一般的要求有： (1) 半导体材料的禁带不能太宽；(2) 要有较高的光电转换效率；(3) 材料本身对环境不造成污染；(4) 材料???于工业化生产且材料性能稳定。 ;31;单晶硅太阳电池;多晶硅太阳电池;非晶硅太阳电池;35;硅太阳能电池的生产流程 ;37;38;39;40;41;42;43;44;2.3 多元化合物薄膜太阳能电池Thin Film Photovoltaic （TFPV）;按材料来分：;47;48;49;50;51;52;;CdS：n型，碱性下 CBD CdTe：p型，电沉积法，阳极 空气中，450°C煅烧，n p型 激光切割 Al金属溅射 再次切割 EVA封装;一种含铜铟硒三元素（简称CIS），一种含铜铟镓硒四元素（简称CIGS）。 优点： a）高消光系数，α104~105cm-1，CuInSe2高达106cm-1的吸收系数，这是到目前为止所有半导体材料中的最高值。CIGS随着铟镓含量的不同，其光吸收范围可从1.04ev至1.70ev。 活性材料厚度不需超过1μm，99﹪以上的光子均可被吸收，因此降低成本，所需半导体原料可能仅US$0.03/W。;转化效率高, 在实验室完成的CIGS电池，光电效率最高可达~19.88%，就模块而言，最高亦可达约13﹪(CIS约10%)。 电池稳定耐用，抗干扰，无光致衰退效应，寿命长 CIGS的Na效应：微量Na掺杂可以优化其性能，尤其能提高p型CIGS 的传导率，可使用钠钙玻璃做基板 抗辐射性强且轻便 p型导电 制造成本低;CIS基本结构;CIGS太阳能电池构型演化;CIGS 薄膜太阳能电池制备方法;吸收层 CuInSe的沉积方法—共蒸发法;吸收层 CuInSe的沉积方法—两步法/硒化法;过渡层CdS;过渡层CdS的替代材料;窗口层Transparent Conducting Oxide;生产工艺;生产工艺;CIS发展状况;68