第2.2章场效应管及放大电路.pptVIP

* 传媒研究所 二、绝缘栅场效应管 三、场效应管放大电路 一、结型场效应管 1. 结构与符号 N 沟道 JFET P 沟道 JFET 结型场效应管 一、结型场效应管 2. 工作原理 uGS ? 0，uDS 0 此时 uGD = UGS(off)； 沟道楔型 耗尽层刚相碰时称预夹断。 预夹断 当 uDS ?，预夹断点下移。 3. 转移特性和输出特性 UGS(off) 当 UGS(off) ? uGS ? 0 时, uGS iD IDSS uDS iD uGS = – 3 V – 2 V – 1 V 0 V – 3 V O O 结型场效应管 N 沟道增强型 S G D B iD P 沟道增强型 S G D B iD 2 – 2 O uGS /V iD /mA UGS(th) O uDS /V iD /mA – 2 V – 4 V – 6 V – 8 V uGS = 8 V 6 V 4 V 2 V S G D B iD N 沟道耗尽型 iD S G D B P 沟道耗尽型 UGS(off) IDSS uGS /V iD /mA – 5 O 5 O uDS /V iD /mA 5 V 2 V 0 V –2 V uGS = 2 V 0 V – 2 V – 5 V N 沟道结型 S G D iD S G D iD P 沟道结型 uGS /V iD /mA 5 – 5 O IDSS UGS(off) O uDS /V iD /mA 5 V 2 V 0 V uGS = 0 V – 2 V – 5 V FET 符号、特性的比较 结型场效应管 4. 场效应管的主要参数 (1)开启电压 UGS(th)(增强型) 夹断电压 UGS(off)(耗尽型) 指 uDS = 某值，使漏极电流 iD 为某一小电流时的 uGS 值。 UGS(th) UGS(off) (2)饱和漏极电流 IDSS 耗尽型场效应管，当 uGS = 0 时所对应的漏极电流。 (3)直流输入电阻 RGS 指漏源间短路时，栅、源间加反向电压呈现的直流电阻。 JFET：RGS 107 ? MOSFET：RGS = 109 ? 1015?? IDSS uGS /V iD /mA O 结型场效应管 (4)低频跨导 gm 反映了uGS 对 iD 的控制能力，单位 S(西门子)。一般为几毫西 (mS) uGS /V iD /mA Q PDM = uDS iD，受温度限制。 (5)漏源动态电阻 rds (6)最大漏极功耗 PDM O 结型场效应管 1、何为场效应管： 利用输入电压（电场效应）控制输出电流的一种半导体器件。 3、种类 2、为何采用场效应管 三极管缺点：必须有基极电流，所以输入电阻低。 场效应管优点：输入电流为0，所以输入电阻很高。 JFET 结型　　　　　 绝缘栅型 场效应管 MOSFET FET 概述： 场效应管及其放大器 P D 二、绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管——栅极和其它电极隔着绝缘层SiO2 。　 铝 P型硅衬底 S N+ N+ 耗尽层 简称MOS管——由金属、氧化物、半导体组成。 绝缘层 衬底引线 B G 三个电极 栅极G——基极b 源极S——发射极e 漏极D——集电极c 绝缘栅场效应管 增强型——UGS=0时,无导电沟道 耗尽型——UGS=0时,有导电沟道 类型 P D 铝 P型硅衬底 S N+ N+ 耗尽层 绝缘层 衬底引线 B G 在分立元件中，一般源极和衬底相连。 绝缘栅场效应管 结构 （一）增强型MOS管（N沟道） 1、结构和符号 P D 铝 P型硅衬底 S N+ N+ 耗尽层 绝缘层 衬底引线 B G 绝缘栅场效应管 符号 P D 铝 P型硅衬底 S N+ N+ 耗尽层 绝缘层 衬底引线 B G 衬底 G D S B 衬底 G D S B N沟道 P沟道 绝缘栅场效应管 P D 铝 P型硅衬底 S N+ N+ 耗尽层 绝缘层 衬底引线 B G 相当于两个PN结反串 剖析局部 UGS=0时, D、S间加电压，无导电沟道。 ＋ － ＋ － N P N 绝缘栅场效应管 金属板 绝缘层 P型衬底 耗尽层 反型层 　 UGS＞0时,金属层聚集正电荷，排斥衬底里的空穴，剩下负离子，形成耗尽层。 2、导电沟道的形成 ＋ － PN结 　UGS增大时,电场将电子吸引到半导体表面，形成反型层，即构成导电沟道。 衬底 G B 绝缘栅场效应管 UGSUGS（th） 夹断 UGSUGS（th) 导通 UGS（th）开启电压（阈值电压、门限电压