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图1半桥式拓扑的等效电路 图1半桥式拓扑的等效电路 桥式拓扑结构功率MOSFET驱动电路设计 作者：吴风江，高昭嘤，孙力 时间：2007-04-17 来源: 摘要：针对桥式拓扑功率MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的桥臂直通问题，给出了计及齐寄生参数的驱动电路等效模型， 对栅极驱动信号振荡的机理进行了深入研究，分析了驱动电路各参数与振荡的关系，并以此为依据对驱动电路进行参数优化 设计，给出了实验波形。理论分析和实验结果表明，改进后的驱动电路成功地解决了驱动信号的振荡问题，从而保证了功率 MOSFET能够安全、可靠地运行。 关键词：振荡；驱动电路；桥式拓扑结构 功率MOSFET以其开关速度快、驱动功率小和功耗低等优点在中小容量的变流器中得到了广泛的应用。当采用功率MOSFET 桥式拓扑结构时,同一桥臂上的两个功率器件在转换过程屮，栅极驱动信号会产生振荡，此时功率器件的损耗较大。当振荡 幅值较高时，将使功率器件导通，从而造成功率开关管直通而损坏。目前常用的解决方法是在MOSFET关断时在栅极施加反 压，以削弱振荡的影响，但反压电路却占用空间，同时增加了成本。本文在深入分析了 MOSFET栅极振荡产生机理基础上， 设计了硬件驱动电路。理论分析和实验结果表明，采用本文所提出的方法，只需增加较少的器件就能够最大程度地抑制振荡。 栅极驱动信号振荡的产生机理 山功率MOSFET的等效电路可知，3