医学电子学课件3.pptVIP

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  • 2019-10-25 发布于山东
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从转移特性曲线可知,当UGS=0时,漏极电流最大,用IDSS表示,称为饱和漏电流。当漏极电流ID=0时,沟道被夹断,此时UGS=UP,称为夹断电压。 ②特点: 当UDS大小改变时,转移特性曲 线的位置将发生移动,但当UDS较大 时不再改变。特性曲线可近似表示为: 2.交流参数 ①低频跨导gm:在漏-源电压一定时,漏极电流的变化量与栅源电压的变化量的比值。低频跨导反映了UGS对ID的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得。 ②极间电容: Cgs和Cgd约为1~3pF,和 Cds约为0.1~1pF。高频应用时,应考虑极间电容的影响。 gm是衡量管子放大作用的重要指标,单位S(西门子),一般为几毫西 (mS)。其大小与管子工作区域有关。ID=gmUGS ,gm越大放大能力越强。 Home Next Back 14 2.交流参数 ③ 输出电阻rd:在UGS一定时,UDS的变化量?UDS与相应的ID的变化量?ID的比值。 Home Next Back 15 3.极限参数 ①漏源击穿电压U(BR)DS :当UGS一定时,使栅-漏PN结发生雪崩击穿,ID突然急增的漏源电压UDS。 ②栅源击穿电压U(BR)GS : JFET:输入PN结发生雪崩击穿,反向饱和电流急剧增加时的栅源电压。 MOS:使SiO2绝缘层击穿的

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