合肥工业大学电力电子技术第六讲第二章.pptVIP

电 力 电 子 技 术 Power Electronics 2.9其它新型电力电子器件 静电感应晶体管（SIT，Static Induction Transistor）：诞生于1970年。是一种多子导电的器件，工作频率与功率MOSFET相当，甚至更高，功率容量更大，因而适用于高频大功率场合。但SIT是在栅极不加信号时导通，加负偏压时关断，使用不太方便；且通态电阻较大，通态损耗也大，因而还未得到广泛应用。 静电感应晶闸管（SITH，Static Induction Thyristor）：诞生于1972年，因其工作原理与SIT类似，门极和阳极电压均能通过电场控制阳极电流，因此SITH又被称为场控晶闸管（FCT ，Field Controlled Thyristor）。SITH是两种载流子导电的双极型器件，通态压降低、通流能力强。其很多特性与GTO类似，但开关速度比GTO高得多，是大容量的快速器件；SITH一般也是正常导通型（栅极不加信号时导通），而且其制造工艺比GTO复杂得多，电流关断增益较小，因而其应用范围还有待拓展。 集成门极换流晶闸管（IGCT，Integrated Gate-Commutated Thyristor）结合了IGBT与GTO的优点，容量与GTO相当。 20世纪90年代后期出现 目前的制造水平是6500V/4200A和4500V/5500A，适用于功率1MW～10