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集成电路前端材料项目 — 光刻胶、低介电常数材料、抗反射膜材料 目录 化学放大光刻胶 低介电常数材料 抗反射涂层材料 化学放大光刻胶 半导体光刻原理 光刻的基本原理是利用光刻胶感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。 光刻半导体芯片二氧化硅的主要步骤是：　1、涂布光刻胶；　2、套准掩模板并曝光；　3、用显影液溶解未感光的光刻胶；　4、用腐蚀液溶解掉无光刻胶保护的二氧化硅层；　5、去除已感光的光刻胶。 光源 掩膜 缩图透镜 晶圆 什么是光刻胶 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。一般光刻胶以液态涂覆在硅片表面上，曝光后烘烤成固态。 光刻胶的作用： a、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层中； b、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。 集成电路制作技术是半导体制造业的关键工艺，而光刻工艺是集成电路制作的驱动力。其中光刻胶的发展便决定了光刻工艺的发展，并相应地推动着整个半导体行业的快速发展。从成本上讲，光刻工艺占整个硅片加工成本的三分之一，决定光刻工艺效果的光刻胶约占集成电路材料总成本的4%左右。 光刻胶的主要技术参数 分辨率 - 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 对比度 - 指光刻胶