硅光电池特性的研究实验报告.docxVIP

实 验 报 告 姓 名：李子汨 班 级：F0603028 学 号：5060309108 实验成绩： 同组姓名：钱 鹏 实验日期：2007/09/21 指导教师： 批阅日期： 硅光电池特性的研究 实验目的： 了解硅光电池的工作原理及其应用。 研究硅光电池的主要参数和基本特性。 实验原理： 硅光电池的照度特性 硅光电池是属于一种有PN结的单结光电池。它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而制成。当光照射在PN结上时，由光子所产生的电子与空穴将分别向P区和N区集结，使PN结两端产生光生电动势。这一现象称为光伏效应。 硅光电池的短路电流与照度关系 当光照射硅光电池时，将产生一个由N区流向P区的光生电流Iph，同时由于PN结二极管的特性，存在正向二极管管电流ID。此电流方向从P区到N区，与光生电流相反，因此实际获得电流 I= 式中V为结电压，I0为二极管反向饱和电流，Iph是与入射光的强度成正比的光生电流，其比例系数与负载电阻大小以及硅光电池的结构和材料特性有关。n为理想系数是表示PN结特性的参数，通常在1-2之间，q为电子电荷，kB为波尔茨曼常数，T为绝对温度。在一定照度下，光电池被短路（负载电阻为零）则V = 0 由（ 硅光电池短路电流与照度特性见图1。 硅光电池的开路电压与照度关系 当硅光电池的输出端开路时，I = 0， 由上两式可得开路电压 V 硅光电池开路电压与照度特性见图1。 硅光电池的负载特性 当硅光电池接上负载R时，硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态。它的伏安特性见图2。由图中可见，硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： 反偏工作状态，光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）； 无偏工作状态，光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。 由图2可看到，在一定光照下，负载曲线在电流轴上的截距是短路电流Iph，在电压轴上的截距即为开路电压V 硅光电池的光谱响应。 图3为硅光电池的光谱特性曲线。 即相对灵敏度Kr 和入射光波长??的关系曲线。从图3中可看出，硅光电池的有效范围约在450—1100 nm之间。实验室给出六种不同的滤色片，透过各滤色片光的波长见表1。 实验中所用光源为发光二极管，二极管发出的光再打在荧光粉上发出白光，其各谱线所对应的光强与波长有关，本实验中所用光源的相对光强与波长λ关系写在桌子上的表格上面。 实验室给出的各种波长滤色片的波长并不严格，它有一定的宽度，给出的仅仅是峰值。表征宽度通常是用半带宽?λ表示，滤色片的峰值透射率用T表示，各个波长滤色片的?λ和T并不一致，即使同一波长滤色片的峰值透射率在技术上也很难做到一致。因此，对每组实验仪器，各波长滤色片对应的峰值透射率T及半带宽?λ已附在各组实验仪器上。 硅光电池的灵敏度K为 K P(λ)为硅光电池测得的光强，可用硅光电池的输出电压或电流表示。 硅光电池的相对灵敏度Kr K Km为不同波长对应K(λ)的最大值 实验中，光源的能量主要集中在红外区域，本实验所用的偏振片对红外不起偏，因此要选择合适的滤色片滤掉红外光，才能进行验证马吕斯定律的实验内容。 数据处理 原始数据： 照度特性研究 照度 V/V I/μ 照度 V/V I/μ 2340 0.1664 164.5 1140 0.0870 87.0 2140 0.1525 152.5 940 0.0703 70.3 1940 0.1390 139.0 740 0.0553 55.3 1740 0.1282 128.2 540 0.0401 40.1 1540 0.1114 111.4 340 0.0253 25.3 1340 0.0980 98.0 140 0.0100 10.0 实验中通过改变入射光的控制电流改变入射光的强度从而改变照度，这样可以使照度均匀增加，有利于实验数据的收集。 测短路电流的时候要选好量程，因为改变量程会使得电流表内阻改变，影响前面的测得的数据。可以使用替代法测100Ω精细电阻的电压从而得到短路电流。 R SD N P ------------------------------------------------------------ 0.99936 0.00192 12 0.0001 ------------------------------------------------------------ 伏安特性研究 α=0° α=30° V/V I/μ V/mV I/μA V/V I/μ V/mV I/μ -4.358 -24.2 257.4 -21.7 -4.564 -19.0 263.5 -16.7 -3.752 -24.2 2