射频电路设计技术第二章.pdfVIP

第第22章章 无源器件无源器件 2.1 引言 内容简介 • 本章主要讲述在射频集成电路设计中如 何应用关键无源元器件及其各自性能。 • 这些元器件不仅包括基本的集总式电感 器、电容器和电阻器，还包括分布式微 带元器件。 2.2 微带原件简介 • 微带元器件既包括微带线、弯曲型接头 和T型接头等元件，又包括耦合器、功 率分配器／合成器等标准功率模块。 • 这些标准功率模块是基于微带传输线的 媒质实现。 2.2.1 传输损耗 • 微带线的总损耗由以下损耗构成： （1）传输损耗 （2）衬底电介质的损耗 （3）辐射损耗 • 有耗微带线的特性阻抗并非一个纯实数。 • 在高频段，导体中绝大部分电流被约束在靠近 导体外表面的区域内。 • 在距离导体表面大约4至5个趋肤深度位置处， 电流密度已经按指数规律衰减到一个可忽略不 计的大小。 • 导体的趋肤深度s定义为导体中电流密度降低 到导体表面上电流密度值的1/e时的距离，其 物理意义是：在导体内所在位置处，沿垂直于 导体表面的方向上离开导体表面的距离。 2.2.2 微带耦合器和 功率分配器 • 微带耦合器和功率分配器，广泛应用于 设计射频集成电路平衡式放大器、功率 放大器、混频器和移相器之中。 • 主要分为：支线耦合器、鼠笼式耦合器、 兰格（Lange）耦合器、威尔逊 （Wilkinson）功率分配器／合成器。 微带支线耦合器 微带鼠笼式耦合器 兰格（Lange）耦合器 威尔逊（Wilkinson）功率分配器 2.3 无源集总式元件 • 在射频集成电路是通过电阻器、电容器、 电感器等无源元件和晶体管等有源元件 集成在同一半导体衬底上实现的。这些 电路元件可用传输线互连在一起。 • 本节着重介绍集总式无源元器件的实现 及典型结构，同时给出典型元件值的本 质特性，并综合评价了主要寄生参数效 应对微波频段无源集总元件性能的影响 2.3.1 电阻器 电阻器的一般结构如下所示： s R R 2R sh C w 电阻器的集总元件式 等效电路模型 在这个模型中： C代表了电阻器两端之间的电容（1～20 pF）； L代表了串联电感，其来源于有限的电阻器几何结构； 2.3.2 电容器 • 金属-绝缘层-金属（MIM）电容器 A  C o r d • 交指型电容器  1 C(pF) r l[(N 3)A  A ] 1 2 w 电容器的集总式元件 等效电路模型 其