rmf第三章 门电路34-344.pptVIP

1 3.4 TTL集成门电路 1、集成电路：将多个元件集成在一个芯片上，简称IC（Integreted Circuit）。 IC分类： 按集成度分类： 小规模集成电路 SSI（Small Scale Integration)，100个/片相当于三极管的元器件； 中规模集成电路 MSI（Medium Scale Integration），100－1000个/片； 大规模集成电路 LSI（Large Scale Integration），1000－10万个/片； 超大规模集成电路 VLSI（Very Large Scale Integration），10万个以上/片。 3、TTL反相器的电压传输特性 3.4.3 TTL反相器的动态特性（门电路状态切换时所呈现的特性） * 第三章 门电路 1. 二极管门电路 2. TTL门电路 3. CMOS门电路 二极管门电路的开关特性 二极管与门 二极管或门 三极管的开关特性 TTL反相器 其它类型的TTL门电路 MOS的开关特性 COMS反相器 其它类型的CMOS门 按制造工艺的不同分类 双极型（BJT）IC：TTL、HTL、I2L、ECL； MOS IC：PMOS、NMOS、CMOS。 集成门电路的发展方向：高速、低功耗、高抗干扰能力、带负载能力强。 2、TTL集成门电路 　　TTL集成逻辑门电路的输入和输出结构均采用半导体三极管，所以称晶体管—晶体管逻辑门电路，简称TTL门电路。 TTL门电路分类：74/54（民用/军用） TTL电路的基本环节是反相器。 1、　TTL反相器的电路结构及工作原理 2、 TTL反相器的电压传输特性 3.4.1 TTL反相器 4、 TTL反相器构成的其它门电路 3、 TTL反相器的输入特性和输出特性 1、TTL反相器的电路结构 T1是输入级， T2是倒相级， T3 、T4 是输出级。 D1起保护作用，它既可以抑制输入端可能出现的负极性干扰脉冲，防止输入负电压为负时T1的发射极电流过大。允许通过的最大电流约为20mA。 D2起电平移位 作用 UCC R1 R2 R4 T3 D2 T4 R3 D1 T1 T2 uo uI Y A 输入级 倒相级 输出级 T1发射结导通 uB1=0.3V+0.7V=1V T2和T4均截止 T3和D2导通 输出高电平 uO ＝UCC –UR2-UBE3-UD2 ≈5V-0.7V-0.7V=3.6V UCC R1 R2 R4 T3 D2 T4 R3 D1 T1 T2 uo uI Y A （1）uI=UIL时 uO=UOH 3.6V 0.3V 设UIL=0.3V，UIH=3.2V 2、TTL反相器的工作原理 1V （2）uI=UIH时 UCC R1 R2 R4 T3 D2 T4 R3 D1 T1 T2 uo uI Y A uC2=UBES4+UCES2≈0.7+0.3=1V 可见输出和输入之间是反相关系，即 ：Y=A 输出为低电平 空载输出时约为0.3V 3.2V 1.4V 1V 0.7V 0.3V uO=UOL uI=3.2V uB1=4.1V T2，T4导通→uC1=1.4V → uB1=2.1V uB1=2.1V（T1管处于倒置工 作状态） T2导通→ uC2降低→T3，D2截止 2.1V uB1=2.1V→T4导通 (3) 采用推拉式输出级提高开关速度和带负载能力 T3和T4总是一管导通而另一管截止，这种工作方式称为推拉式工作方式。 当输入高电平时，T4饱和，uB3=uC2=0.3V+0.7V=1V，T3和D2截止，T4的集电极电流可以全部用来驱动负载。 UCC R1 R2 R4 T3 D2 T4 R3 D1 T1 T2 uo uI Y A 当输入低电平时，T4截止， T3导通， T3组成射极输出器， 其输出电阻很小，优点是既能提高开关速度，又能提高负载能力。 　电压传输特性：输出电压uO与输入电压uI的关系曲线。 TTL反相器电路的电压传输特性 截止区 线性区 转折区 饱和区 （1）曲线分析 UCC R1 R2 R4 T3 D2 T4 R3 D1 T1 T2 uo uI Y A AB段： uI0.6V，vB11.3V, T2和T4截止，T3导通。 输出为高电平。 BC段： 0.7VuI1.3V, T2：ON, T4：OFF，T2工作在放 大区。随着uI的升高， vC2和uO线性下降，称 为特性曲线的线性区。 + + - - UTH TTL反相器电路的电压传输特性 截止区 线性区 转折区 饱和区 CD段： 当输入电压升到1.4伏左右， vB1约为2.1V，T2和T4同时导 通，