2019年VLSI技术及电路研讨会的技术亮点先进-VLSISymposium.pdf

2019 年VLSI 技術及電路研討會的技術亮點 2019 年VLSI 技術及電路研討會是頂尖的國際會議，這場國際會議發表及討論微電 子的發展速度、進度和演進，訂於2019 年6 月9 日至14 日在日本京都舉辦。兩項 研討會有完全重疊的技術議程，包含多場聯合座談會。研討會開始前將先在 6 月9 日舉行週日工作仿(Workshop) ，6 月 10 日有全天短期課程，接著6 月 14 日有關於 自主駕駛啟用技術的週五論壇。 這次研討會以 「將半導體推向極限，實現無縫聯結新世界」為核心主題，活動日程 之中整合進階技術發展、創新電路設計及各種應用，協助全球社會採用智慧連網裝 置及系統，改變人類彼此互動的方式。 下列是以此為主題的一些精彩論文介紹： 先進記憶體 使用受限氮捕捉層的3D NAND 展現可靠的保存能力 資料保存是很關鍵的挑戰，尤其是氮捕捉層型的 3D NAND 快閃記憶體。Macronix International Co., Ltd. 將發表採用受限氮(SiN) 捕捉層的3D NAND 快閃記憶體。此 結構具有優異的保存能力，對經過 1K 次循環的裝置進行 125℃ 為期 1 週的高溫烘 烤後，電荷耗損僅有約 600 mV 位移 (從一開始的 7 V 間隔) 。效能遠比非採用受限 SiN 結構的控制樣本優異許多。 論文 T16-2 「採用創新受限氮捕捉層裝置的3D NAND 快閃記憶體，展現可靠的保存效能」 作者：Macronix International Co., Ltd. 的C.-H. Fu 等人。 T16-2 採用受限SiN 捕捉層的3D NAND 快閃記憶體結構的截面 TEM 影像。 2 超越20nm 的STT-MRAM 技術 為使 STT-MRAM 微縮到 20nm 以下，日本東北大學提出創新的四介面磁穿隧接面 (MTJ) 技術，這項技術採用 300mm 製程，以創新的低破壞整合製程為基礎。其可 視為雙介面 MTJ 技術的後繼技術發展 ，並在熱穩定性係數Delta 和切換效能 Delta/IC0 等係數上都比傳統雙介面MTJ 技術提高 1.5 至2 倍。 論文 T11-4 「創新的四介面MTJ 技術與其高熱穩定性和切換效率的首次展示，適用於2Xnm 以下的 STT-MRAM 」 作者：日本東北大學的K. Nishioka 等人。 T11-4 所生產四介面MTJ 的截面TEM 影像。 採用22FFL FinFET 技術的嵌入式RRAM 具有邏輯友善程序、良好保存與耐久特性的嵌入式記憶體技術為市場所需，而 RRAM 正是符合這項需求充滿前景的技術。Intel Corp. 將展出採用 22FFL FinFET 4 技術的嵌入式 RRAM 。他們在7.2Mbit 陣列上實現了 10 次循環的耐用度，以及 85℃ 10 年保存期。 論文 T18-1 「非揮發性RRAM 嵌入22FFL FinFET 技術」 作者：Intel Corp. 的O. Golonzka 等人。 3 T18-1 嵌入22FFL 邏輯金屬互連的RRAM 陣列截面TEM 。 適合物聯網應用的低功耗嵌入式快閃記憶體 為擴大物聯網的應用範圍，許多邊緣裝置以實現超低功耗作業為關鍵需求。為了在 從能量收集 (EH) 獲得的有限能源下實現即時感測，嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 尤 其需要降低讀取能源。Renesas Electronics 將展示採用 65nm 矽晶薄氧化物埋層 (SOTB) 技術製成的 1.5MB 2T-MONOS eFlash macro ，該裝置使用低功耗感測放大 器和資料傳輸電路技術，可進一步強化 SOTB 裝置的優點。提案的 eFlash 可在 64MHz 讀取存取頻率下達到 0.22pJ/bit 的讀取能量，足供使用EH 技術作為能源來 源。 論文 C17-1 「65nm 矽晶薄氧化物埋層 (SOTB) 嵌入式 2T-MONOS 快閃記憶體可在 64 MHz 存取頻 率下達到 0.22 pJ/bit 讀取能量，適合物聯網應用」 作者：Renesas Electronics Corp. 的K. Matsubara 等人。 C1