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第2章器件 场效应晶体管（MOSFET) TO-92 TO-126 TO-220F TO-247AC 第2章器件 一、普通MOSFET基本结构 特点：单极型电压控制器件，具有自关断能力，驱动功率小 工作速度高，无二次击穿问题，安全工作区宽。 1．N沟道MOSFET 工作原理： D ①VGS=0，无导电沟道。 ②VGS0，反型层出现， 形成N沟道，电子导电。 G S 类型：增强型，