硅晶体生长速率及缺陷形成机制的分子动力学模拟研究.pdfVIP

硅晶体生长及缺陷形成机制的 分子动力学模拟研究 吴小元，张弛，刘博，常章用，周耐根，周浪 南昌大学光伏研究院 2014年11月6 日 目录 应变硅晶体生长过程中缺陷形成 晶体沿(112)面的生长及缺陷形成 小结 1. 应变硅晶体生长过程中缺陷形成 分子动力学基本原理： 基于经典力学求解每个原子在相空间的运动规律和轨迹，并在此基础上， 研究该体系的结构和其他相关性质以及按照热力学和统计物理原理得出该 体系相应的宏观物理特性。 模拟基本过程： 1. 应变硅晶体生长过程中缺陷形成 实验模型与方法 籽晶 熔体 ε Y X Z 硅晶体生长的分子动力学模型 Tersoff 势函数 a=5.49Å 1. 应变硅晶体生长过程