硅瞬态抑制器件应用.pdfVIP

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  • 2019-10-30 发布于湖北
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硅 瞬态抑制器件应用 1 硅瞬态抑制器件应用的基本原则 通信电路中 为抑制可能出现的浪涌 静电 噪声和辐射等干扰源对器件及设备产生的不良 影响 除采用阻容元件和二级管构成的常规保护网络外 还使用一些专用的保护器件如瞬变电压 抑制二极管 气体放电管 压敏电阻 热敏电阻等进行保护 这些器件的正确使用对电子产品的 可靠应用起着至关重要的作用 保护器件主要通过对进入器件或电路的干扰电压进行限幅 对干扰电流进行分流 对干扰能 量进行旁路等措施 实现对不同器件或电路的保护 根据过压 过流信号的类型及幅值能量的不 同 线路可分别采用以下几种保护器件 抑制快速变化的浪涌电压 可使用TVS器件 对静电放电 ESD 电快速瞬变脉冲 EFT 雷电 Lighting 等干扰源经前级保护后的残压进行抑制 可使用SM16LC05C LCD05C PSOT05C等TVS集成或分立器件实现对ESD敏感器件的保护 用于数据信号接口保护的TVS管需特 别注意其结电容 C 对线路信号传输质量的影响 j 抑制能量较高且持续时间较长的过压 过流信号可用气体放电管或

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