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硅基体上微纳米银的制备 为什么银的形核率比铜大得多，但银的沉积却又不像铜那样形成有规则形貌的晶体？ 我们从键能和表面能入手： 键能我们可以通过升华热来近似计算。我们假设固体升华时形成单个原子，即原子的每个键都断开，1.0 mol固体物质升华将有6.02×1023个原子将所有键断开。我们查到银的升华热QAg为286kJ/mol，银为面心立方结构，每个原子有12个键，每个键分属两个原子，所以1.0 mol的银有6×6.02×1023个键，于是每个键的能量为UAg=QAg/6×6.02×1023=7.92 ×10-20 J=0.495eV。同时铜的升华热QCu为339kJ/mol，铜也为面心立方结构，算出铜的键能为UCu=QCu/6×6.02× 1023=9.385×10-20 J=0.587eV。从上可知，铜的键能将近比银的键能大0.1eV，对于单个键来说，这是非常大的。 硅基体上微纳米银的制备 2.晶面的表面能：对面心立方来说，设晶格常数为a，从（100）面断开，每个原子要断开4个键，每个键分属两个原子，所以对（100）面来说每个原子断键提供的能量为4×1/2=2个键能的能量，每个原子在（100）面占据的面积为a2/2，每个原子提供的键能和其占据的面积之比即为表面能，所以（100）的表面能U(100)=4U/a2（式中U为键能）。同理，从（110）面断开每个原子将断开5个键，提供的键能为5/2个键的能量，每个原子在（110）面占据的面积为√2a2/2，所以（110）面的表面能U(110)=5√ 2U/2a2；从（111）面断开每个原子将断开3个键，提供的键能为3/2个键的能量，每个原子在(111)面占据的面积为√ 3a2/4，所以(111)面的表面能U(111)=2√ 3U/a2。我们又查的Cu的晶格常数a=0.3615nm，Ag的晶格常数a=0.409nm，我们即可算出Cu和Ag各个晶面的表面能， 列表如下: 硅基体上微纳米银的制备 硅基体上银铜合金的制备（改变配比） 硅基体上银铜合金的制备（改变配比） 硅基体上银铜合金的制备（改变配比） 硅基体上银铜合金的制备（改变配比） 硅基体上银铜合金的制备（改变配比） 硅基体上银铜合金的制备（增大比例） Ti基体上三种形貌的微纳米银 A B C D 沉积时间增大到3min银结构的形貌变化，很明显，“木耳”状变为板块状，图中的片状结构厚度在纳米级，其它尺寸在微米级，相差几百倍，可能在纳米器件方面有广泛的应用前景。 Ti基体上三种形貌的微纳米银 A B C D 沉积时间增大到5min银结构形貌的变化，很明显，粒状结构增大增多，已显示粒状颗粒已形成多面体形状，已有证据表明片状结构会向多面体转变，且板块状会被吞并吸收。 Company Logo LOGO 答 辩 人：刘平军 专 业：材料科学与工程 指导老师：陈福义（教授） 2010届本科生毕业论文答辩 本论文的主要内容 银铜微纳结构紫外光化学沉积 实验仪器及原理的解释 硅基体上晶体铜的制备 硅基体上微纳米银的制备 硅基体上微纳米银铜合金的制备 薄膜分形维数的测定 钛基体上三种形貌微纳米银的制备 银铜微纳结构的紫外光化学沉积 背景：合成尺寸、形貌、组成可控的微纳米粒子，不仅为开发微纳米材料的应用打下基础，而且可为新材料的发展开辟一个崭新的研究领域，并为微纳米材料的形成机理、生长动力学、功能分子的设计、制各和组装、微纳米材料的稳定性、微纳米功能材料的复合以及所涉及的表面、界面及功能协同等方面的深入研究提供实验依据。 目的：本论文的主要研究目的为设计出实验条件温和、易于重复、简便易行、绿色环保的合成路线在半导体硅、二氧化钛上制备形貌、尺寸、组成可控的银、铜及银铜微纳米粒子及薄膜；通过本论文的研究工作对今后的进一步探索微纳米粒子及薄膜的制备及应用研究提供可以借鉴的方法。本文力求通过实验条件的变化对其形成机理进行探讨，从而揭示不同尺寸、不同形貌、不同组成的微纳米材料的生长规律。 银铜微纳结构的紫外光化学沉积 定义：紫外光化学沉积是指在光照的条件下，金属离子或金属络合物在基板上得电子被还原，从而沉积在基板上的一个过程。连续沉积将在基板上得到一层金属薄膜。 优点：传统方法相比，该方法具有反应条件温和、操作简单、易于控制、成本低、环境友好等优点，而且产品具有较高的纯度、窄的粒径分布和均一的形态，不仅能够用于微纳米材料的制备，还可以对微纳米材料的尺寸、形貌及组成进行控制，因而在纳米材料合成领域里显示了良好的发展态势。 创新点：对HF作用机制的发现及探索、提出的形核长大竞争机制及曲率效应、得到了沉积均匀银薄膜的较好反应条件、在银铜合金的沉积过程中发现了置换机制、临界值的提出、“核桃仁”生长机制的提出、发现了铜银比例特别高的“雾状”