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实用 文档 5.6 最小电导率 a. 考虑半导体的电导率。掺杂总是能提高电导率吗？ b. 请说明：当Si的p型掺杂而使空穴浓度为下式所表示的值时，可以得到最小的电导率。 与该式对应的最小电导率（最大电阻率）为 c. 对Si计算和，并与本征值进行比较。 解析： a. 半导体的电导率，其中，n和p满足质量作用定律，在一定的温度下，np为常数。 当掺杂增大电子浓度n时，空穴浓度p则会减小，反之亦然。在掺杂浓度一定时，由于，如果对半导体进行n型掺杂，则np，显然随着掺杂浓度的增大，电导率?会增大；如果对半导体进行p型掺杂，则np，显然随着掺杂浓度的增大，电导率?先减小后增大；当对半导体进行补偿掺杂时，电子浓度和空穴浓度可能会不变，电导率?也会不变。另外，掺杂会导致电子和空穴迁移率和的减小。所以，掺杂不一定能提高电导率。 b. 将即带入得 ，因此，当Si的p型掺杂而使空穴浓度逐渐增大时，电导率?先减小后增大。对求导得，令得，相应地。即当空穴浓度为时，电导率最小，为。 c. 室温下，对于Si，，，，带入和得 若取，则有 5.13 砷化镓 Ga具有的化合价是3，而As具有的化合价是5。当Ga和As原子一起形成GsAs单晶体时，如图5.54所示，一个Ga的3个价电子与一个As的5个价电子均共享，结果形成4个共价键。在具有大约Ga原子和As原子（数量几乎相等）的GsAs晶体中，无论是Ga还是As，每个原子平均具有4个价电子。因此我们可以认为：其价键的结合与Si晶体中的相似，每个原子4个键。然而，它的晶体结构却不是金刚石结构，而是闪锌矿结构。 a. 对于每对Ga和As原子，以及在GaAs晶体中，每个原子的平均价电子数是多少？ b. 如果在GaAs晶体中以Ⅵ族元素硒（Se）或碲（Te）代替As原子，情况如何？ c. 如果在GaAs晶体中以Ⅱ族元素锌（Zn）或镉（Cd）代替Ga原子，情况如何？ d. 如果在GaAs晶体中以Ⅳ族元素硅（Si）代替As原子，情况如何？ e. 如果在GaAs晶体中以Ⅳ族元素硅（Si）代替Ga原子，情况如何？两性掺杂表示什么？ f. 基于以上对GaAs的讨论，你认为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体AlAs，GaP，InAs,InP和InSb的晶体结构是什么？ 解： a. 对于每对Ga和As原子，）以及在GaAs晶体中，每个原子的平均价电子数是4. b. Ⅵ族元素硒（Se）或碲（Te）具有的化合价是6，Ga具有的化合价是3。当在GaAs晶体中以硒（Se）或碲（Te）代替As原子时，一个Ga的3个价电子与一个硒（Se）或碲（Te）的5个价电子共享，形成4个共价键，而每个硒（Se）或碲（Te）剩余1个价电子未能组成价键，这个电子便围绕硒（Se）或碲（Te）原子运行。室温下，由于GaSe或GaTe晶格的振动，该价电子很容易被释放，即硒（Se）或碲（Te）原子成为施主原子。 c. Ⅱ族元素锌（Zn）或镉（Cd）具有的化合价是2， As具有的化合价是5。当在GaAs晶体中以硒锌（Zn）或镉（Cd）代替Ga原子时，一个硒锌（Zn）或镉（Cd）的2个价电子与As的5个价电子共享，形成4个共价键，但其中一个价键将少一个电子，即有一个空穴，临近的电子可以通过隧穿进入该空穴，并且室温下该空穴可摆脱Zn-或镉Cd-格点而成为自由空穴，即硒锌（Zn）或镉（Cd）原子成为受主原子。 d. Ga具有的化合价是3，Si具有的化合价是4。当在GaAs晶体中以Ⅳ族元素硅（Si）代替As原子时，一个Ga原子的3个价电子与Si的4个价电子共享，形成4个共价键，但其中一个价键将少一个电子，即有一个空穴，临近的电子可以通过隧穿进入该空穴，并且室温下该空穴可摆脱Ga-格点而成为自由空穴，即Ga原子成为受主原子。还是Si是施主原子？ e. Si具有的化合价是4，As具有的化合价是5。当在GaAs晶体中以Ⅳ族元素硅（Si）代替Ga原子，一个Si的4个价电子与As的4个价电子共享，形成4个共价键，而每个As剩余1个价电子未能组成价键，这个电子便围绕As原子运行。室温下，由于SiAs晶格的振动，该价电子很容易被释放，即As原子成为施主原子。还是Si是受主原子？ 两性掺杂是指同时具有施主和受主来控制其性能的掺杂，对于GaAs晶体，当用Si原子进行掺杂时，由上面的讨论可知，Si原子既可代替Ga原子，又可以代替As原子。。。 f. 基于以上对GaAs的讨论，Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体AlAs，GaP，InAs,InP和InSb的晶体结构应该是闪锌矿结构。 5.26 肖特基接触与欧姆接触 考虑一个以施主浓度为掺杂的n型Si样品，其长度为100μm，横截面积A为。样品两端标记为B和C。Si的电子亲和能?是4.01eV，在B和C接触的4种可能的金属的功函数如表5.5所示。 表5.5 功函数（eV） Cs