电化学沉积制备ZnO.pptVIP

电沉积法制备ZnO薄膜的研究进展 李敏 孙亚丽 何换菊 李艳 1.摘要 以铜片为衬底, 用硝酸锌水溶液为电解液, 采用阴极恒电流还原制备氧化锌薄膜。通过改变电流密度、电解液浓度、温度、离子掺杂等实验条件, 系统研究了锌氧化物薄膜材料的电化学沉积过程。当电沉积产物中掺杂铜时, 薄膜材料的光吸收边从375nm 红移到458nm, 带隙能从3.3eV 降到2.7eV, 拓宽了薄膜的吸光范围, 这对ZnO 薄膜在光学方面的应用具有重要意义。 2.引 言 氧化锌( ZnO) 是一种性能很好的材料, 在电子、光学、声学及化学等领域都有广泛应用。 而且, ZnO可实现p-型或n-型掺杂, 有很高的导电、导热性能, 化学性质稳定, 用它来制备发光器件必然具有高的稳定性。 根据1997 年ZnO 的光抽运近紫外受激发射现象的报道，由于其发射的波长比GaN 蓝光更短, 将在提高光记录密度和光信息的存取速度方面起到非常重要的作用, 这引发了对ZnO 半导体激光器件的研究热潮。 ZnO 薄膜的其他CVD制备方法: 等离子化学气相沉积法（PECVD） PECVD装置是在普通CVD反应腔中增加了一对等离子体离化电极板,PECVD一般用有机锌与稳定的含氧气体(如NO2,CO2或N2O等)反应沉积。影响薄膜的主要因素是衬底温度、反应气压和等离子体电离电压。衬底温度一般在200~400℃之间,