Q_320292 HJFZ05-2019集成电路三维集成封装TCB-NCP热压键合工艺过程和评价要求.pdf

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2019-10-28 发布于湖南
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ICS 31.200 L 56 Q/ 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司企业标准 Q/320292 HJFZ05—2019 集成电路三维集成封装 TCB-NCP 热压键合工艺过程和评价要求 2019 - 02 - 20 发布 2019 - 02 - 25 实施华进半导体封装先导技术研发中心有限公司发布 Q/320292 HJFZ05—2019 前言本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。本标准由华进半导体封装先导技术研发中心有限公司提出。本标准起草单位：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司。本标准主要起草人：汪旭。本标准首次发布。 I Q/320292 HJFZ05—2019 集成电路三维集成封装 TCB-NCP 热压键合工艺过程和评价要求 1 范围本标准规定了集成电路三维集成封装TCB-NCP热压键合工艺过程和评价要求的术语和定义、一般要求、工艺和评价要求。本标准适用于集成电路三维集成封装TCB-NCP热压键合工艺过程和评价要求。 2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 9178 集成电路术语 GB/T 14113 半导体集成电路封装术语 GB/T 14264 半导体材料术语 3 术语和定义 GB/T 9178、GB/T 14113和GB/T 14264中界定的以及下列术语和定义适用本文件。 3.1 TCB (Thermo Compression Bonding)