电力参数测量装置的设计外文翻译.docVIP

NUMPAGES 11 PAGE 11 全芯片设计高性能电驱动热点检测的解决方案 使用一种新的装置参数匹配技术 Rami F. Salem，Mohamed Al-Imam，Abdelrahman ElMously，Haitham Eissa，Ahmed Arafa，and Mohab H. Anis， Mentor Graphics Corporation The American University in Cairo 摘要—— 随着集成电路制造技术的不断发展，IC设计已成为一个非常复杂的过程。设计师不仅要考虑正常设计和参数布局，而且还要保证全芯片的功能和设计程序在工业生产过程中不受到影响。在目前的工业生产过程中，设计师会通过大量的模拟来找出设计参数的可能变化取值范围并作为依据来设计全芯片的功能。与此同时，对芯片布局需要进行一个非常耗时的感知模拟（如光刻模拟）过程，从而会影响整个设计周期的时间。在本文中，我们提出了一个快速的物理布局可制造性设计（DFM），对全芯片设计时利用载流子检测出热点区域，无需广泛的电气和过程模拟。新算法的提出是为了开发一种新解决方案。我们是利用45纳米产业技术用FIR（有限脉冲响应）对芯片进行检查。所提出的方法是能够定义一个位于FIR（有限脉冲响应）关键路径经历17%的直流电流值的变化带来的影响的过程和设计背景的电热点列表。用传统的电