电子工程物理基础v10(4).ppt

考察p型半导体的非少子扩散运动 沿x方向的浓度梯度 电子的扩散流密度 （单位时间通过单位 截面积的电子数） 4.6 载流子的扩散（Diffusion） 一.净扩散 Dn---电子扩散系数（ electron diffusion coefficients） ——单位时间在小体积Δx·1中积累的电子数 扩散定律 在x附近，单位时间、单位体积中积累的电子数——积累率 稳态时，积累=损失 稳态扩散方程 三维 球坐标 一维求解 （1）若样品足够厚 （2）若样品厚为W（W ∞) 并设非平衡少子被全部引出 则边界条件为： ?n(W)=0 ?n(0)= (? n)0 得 当WLn时， 相应的 Sn=常数 空穴的扩散电流密度 电子的扩散电流密度 扩散电流密度 若样品足够厚 在光照和外场同时存在的情况下: （2）总电流密度 二.爱因斯坦关系 平衡条件下： Einstein Relationship 内建电场 最后得 同理 连续性方程 扩散、漂移、复合等运动同时存在时，少数载流子的运动方程。 以一维p型为例来讨论： ε 光照 在外加条件下，载流子未达到稳态时，少子浓度不仅是x的函数，而且随时间t变化： 三.载流子的完整运动 积累率 复合率 其它产生率 *电子积累率： 电子的扩散和漂移流密度 ------连续性方程 讨论（1）光照恒定 （2）材料掺杂均匀 （3）外