晶体管特征频率的测量.docxVIP

晶体管特征频率的测量 晶体管特征频率fl的测量定义为共射极输出交短路电流放人系数101随频 率增加而下降到1小时的工作频率，它反映了晶体管共发射运用具有电流放大作 用的频率极限，是晶体管的一个重要频率特性参数。/,主要取决于晶体管的合理 的结构设计，但也与晶体管工作吋的偏置条件密切相关。因而，晶体管的特征频 率是指在一定集团偏置条件卜?的测量值。其测试原理通常采用“增益一带宽” 积的方法。 木实验的口的是掌握晶体管特征频率几的测试原理及测量方法，熟悉 分别随匕迟和匚变化的规律，加深其与晶体管结构参数齐工作偏置条件的理解， 为品体管的频率特性设计，制造和应用奠定基础。 一、实验原理 共发射交流工作下，晶体管发射结电压周期性变化引起发射结，收集结空间 电荷区的电荷和其区，发射区，收集区的少了，多了也随Z不断重新分布，这种 现象可视为势垒电容各扩散电容的充放电作用。势垒电容各扩散电容的充放电使 由发射区通过基区传输的载流子减少，传输的电流幅度值下降，同时产生载流子 传输的延吋，加之载流子渡越收集结空间电荷区时间的影响，使输入，输出信号 产生相移，电流放大系数0变为复数，并且其幅值随频率的升高 而下降，相位 移也随频率的升高而增大，因此，晶体管共发射极交流短路放大系数0的幅值和 相位移是工作频率的函数。 理论上晶体管共发射交流短路放大系数可表示为 0 二 0°exp(—(1) \ + jc