二氧化硅基质包埋硅纳米晶的微观结构和发光性能.docVIP

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2019-10-30 发布于湖北
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二氧化硅基质包埋硅纳米晶的微观结构和发光性能.doc

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234Vol.23No.4 August200920098CHINESEJOURNALOFMATERIALSRESEARCH ? 11G.G.ROSS2 1.308266071 2.INRS-EMT,1650boulevardLionel-Boulet,Varennes,CanadaJ3X1S2 (SiO2), ,.:(5nm)Ostwald ,(10nm);8×1016cm?2 3×1017cm?2 ,5().,,, O472,O4831005-3093(2009)04-0352-05 MicrostructureandopticalpropertiesofSinanocrystals embeddedinSiO2?lm WANGYiqian1??LIANGWenshuang1ROSSGuy2 1.TheCultivationBaseforStateKeyLaboratory,QingdaoUniversity,No.308,NingxiaRoad,Qingdao,266071 2.INRS-EMT,1650boulevardLionel-Boulet,Varennes,Canada,J3X1S2*SupportedbytheScienti?cResearchFundingfortheIntroducedTalentsatQingdaoUniversityNoandNationalScienceandEngineeringResearchCouncil,CanadaNo.STPGP307205-04. ManuscriptreceivedJanuary8,2009;inrevisedformApril22,2009. **Towhomcorrespondenceshouldbeaddressed,Tel:(0532E–mail:yqwang1013@ABSTRACTSinanocrystalshavebeenfabricatedinSiO2?lmusingionimplantationfollowedbyhigh-temperatureannealing.Themicrostructureandopticalpropertiesofthesampleswithdi?erentSi+implantationdoseswereinvestigated,andthegrowthmechanismandlightemissionmechanismwereexplored.TheexperimentalresultsindicatedthatforsmallSinanocrystals(5nm),thegrowthmechanismconformstoOstwaldripening;whileforthebigones(10nm),thecoalescenceofsmallnanoparticlesthroughtwinningisdominant.Thephotoluminescence(PL)investigationshowedthatthePLspectrumintensityfromthesamplewithanimplantationdoseof3×1017/cm2droppedbyafactorof5comparedwiththatfromthesamplewithanimplantationdoseof8×1016/cm2.ThecorrelationbetweenmicrostructureandPLindicatedthatthemicrostructuraldefects,suchastwinningandstackingfaultsinsidetheSinanocrystalshaveagreatin?uenceonthePLintensity. KEYWORDSinorganicnon-metallicmaterials,Sinanocrystals,transmissionelectronmicroscopy,growthmechanism,photoluminescence ,, [1]. .:,,..,., [2] MBE)[3](MS)[4](PLD)[5] STPGP307205-04(PECVD)[6].,200918;2009422. :,, 4:353 [7]. [2?6][8?10]3×1017cm?2).(1100) ., .1h,500(5%)(95%),1h. Ostwald[11],. ;,, , /(quantum20μm,Gatan691PIPScon?nemente?ect)[12,13],.JEM2010–[14,1