2010cb934500纳米结构的新型同步辐射表征技术及若干关键科学问题的研究.docVIP

项目名称： 纳米结构的新型同步辐射表征技术及若干关键科学问题的研究 首席科学家： 徐洪杰 中国科学院上海应用物理研究所 起止年限： 2010年1月-2014年8月 依托部门： 上海市科委 一、研究内容 本项目将在上海光源现有光束线站的基础上，发展针对纳米结构研究的新型表征技术；运用建立起来的新型同步辐射表征技术，研究纳米结构的若干关键科学问题。研究的纳米结构主要包括有机半导体纳米结构、硅纳米结构和碳纳米结构。以上述的关键科学问题为导向，本项目拟进行以下四个方面的研究： (1) 发展纳米结构的新型同步辐射表征技术。在上海光源各光束线站现有的基础上，发展高空间/高时间/高能量分辨、高灵敏度，以及原位、动态的新型表征技术，重点发展针对纳米结构研究的高空间分辨X射线微聚焦技术、以及高时间分辨的同步辐射X射线实验技术（XRD、XAFS、SAXS和XEOL）。 (2) 利用新型同步辐射静态表征技术，研究有机半导体纳米结构、硅纳米结构、碳纳米结构稳态情况下的构效关系。对有机半导体纳米单体进行综合表征；研究硅、碳纳米材料表面/界面结构与其性能的关系；研究纳米结构的量子效应与表面效应等。 (3) 利用新型同步辐射原位、动态表征技术，研究硅纳米结构与碳纳米结构非稳态情况下的构效关系。研究硅、碳纳米材料表面/界面结构演化与其性能变化的关系；研究硅、碳纳米结构的成核与生长机制；研究外部环境与测量条件如何影响纳米结构的性能。 (4) 根据实验所得信息，从理论上研究新型同步辐射表征技术的物理机制和工作原理，对表征技术的发展提供理论支持；从理论上研究纳米结构的构效关系，给出实验结果的理论解释，对纳米结构的新现象、新规律进行理论模拟和预测。 纳米结构的新型同步辐射表征技术的研究 (1) 在现有光束线站上，研制纳米结构的原位反应与生长装置，以及测量环境控制系统。原位反应与生长装置包括气相生长装置和液相反应装置，测量环境控制系统可以实时改变温度、压力、气体氛围、外场等测量环境条件。 (2) 在上海光源硬X射线微聚焦光束线站上，研发高空间分辨（100 nm）的X射线微聚焦技术与多种微束X射线表征技术。 (3) 在上海光源XRD光束线站上，发展高时间分辨（亚秒级）的快速XRD谱学技术。 (4) 在上海光源XAFS光束线站和软X射线谱学显微光束线站上，发展高时间分辨（亚秒级）的快速XAFS谱学技术。 (5) 在上海光源SAXS光束线站上，发展高时间分辨（亚秒级）的快速SAXS谱学技术。 (6) 在现有光束线站上，发展高时间分辨（纳秒级）的XEOL谱学技术。 利用新型同步辐射静态表征技术，研究纳米结构稳态情况下的构效关系 (1) 离线生长有机半导体纳米结构、硅纳米结构、碳纳米结构，并对其进行表面修饰或掺杂处理。利用新型同步辐射谱学技术（XRD、XAFS、SAXS、XEOL等），系统表征这些纳米材料的电子结构，表面结构，晶相结构，电学性能以及光学性能等，研究纳米结构的尺寸效应、表面效应以及这些效应对其性能的影响。重点研究硅纳米线、硅量子点在不同尺寸下，以及在不同表面环境与修饰条件下的电子结构和表面结构，探明硅纳米结构的各种表面态对其电子传输与发光性能的影响，从而找到调控硅纳米结构光电性能的方法。例如，硅纳米线在不同介质里具有不同的表面活性，在水溶液和部分有机溶剂中展现出很强的表面活性，但在干燥气氛中却展现出比硅单晶更高的稳定性，而表面活性灵敏度对硅纳米传感器与光电器件来说至关重要。因此本项目将深入研究硅纳米线在不同介质中的表面结构、电子结构、以及化学状态等，探究表面活性变化的机理。例如利用XAFS表征硅纳米线在不同介质中表面基团的电子结构和化学态，并结合常规的表面分析技术（扫描隧道显微镜与光电子能谱等），可以获得完整的硅纳米线表面信息，从而理解表面活性变化的机理。 (2) 纳米结构集合体的表征只能得到集合体的统计平均信息，而且容易受到尺寸和形貌分布的影响，因此无法精确地反映每一个单体的结构与性能。本项目将研究纳米单体的综合表征，以获得纳米单体结构与性能关系的准确信息。重点研究有机半导体纳米单体，利用建立起来的100 nm空间分辨的X射线微聚焦技术，排除合成与分散过程中副产物及溶剂残留物的影响，无损伤地表征有机半导体纳米单体的结构和性能（如元素成份、相组成、电子结构、光学性能）。研究单体结构、尺寸、形貌、官能团等因素对其电子传输与发光性能的影响，从而找到调控有机半导体纳米结构光电性能的方法。例如利用微聚焦的X射线成像技术，聚焦单个有机半导体纳米单体，并结合微聚焦的XRD、XAFS、SAXS谱学技术研究单体的空间结构与电子结构。利用微聚焦的XEOL谱学技术研究有机半导体纳米单体的发光性能，从而明确单体结构、尺寸、形貌、官能团等因素与其发光性能的的关系。 利用新型同步辐射