电子电路布线与构装月作业培训讲学.pptVIP

電子電路佈線與構裝 1月作業;TSV製程技術整合分析;導孔的形成(Via Formation);雷射鑽孔(Laser Drill);圖一：Bosch DRIE製程步驟及其所形成TSV導孔之SEM照片。;導孔的填充(Via Filling);一旦形成绝緣層後，緊接著進行金屬化沉積，TSV導孔填充的導電材料，則包括：銅(Cu)、鎢(W)和多晶矽(Polysilicon)等。其中，銅具有優良導電率，電鍍銅(Copper Electroplating)可作為TSV導孔之充填。如果TSV導孔深度較淺時，電鍍銅可完全充填導孔。然而，當TSV導孔之深度較深時，由於矽熱膨脹係數( 3 ppm /℃)與銅熱膨脹係數( 16 ppm /℃)相差極大，使用電鍍銅作導孔完全充填時，會產生熱機械應力(Thermo-Mechanical Stress)，進而導致內部介電層(Internal Dielectric Layer)與矽基材產生裂縫(Crack)。;此外，在TSV導孔側壁(Sidewall)沉積絕緣層薄膜會有高電容產生，進而影響電性。針對大直徑TSV導孔，由於使用電鍍作充填之速度太慢，圖二為比利時IMEC改採用厚度為2~5μm聚合物(Polymer)絕緣層來填補電鍍銅充填導孔所剩下的體積。由於厚度較厚之聚合物絕緣層為低介電材料，可以解決一般絕緣層薄膜之高電容問題。使用聚合物絕緣層可減少