GB 13539.4-1992低压熔断器　半导体器件保护用熔断体的补充要求.pdf

中华人民共和国国家标准 低 压 熔 断 器 GB 13539.4一92 半导体器件保护用熔断体的补充要求 Low-voltagefuses Supplementaryrequirementsforfuse-]且nksfortheprotection ofsemiconductordevices 本标准参照采用国际标准·IEC269-40986)《低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要 求》。 本标准应与GB13539.1-92低《压熔断器 基本要求》一起使用。除非本标准另有说明，半导体器 件保护用熔断体，还应符合GB13539.1的规定。 主肠内容与适用范围 本标准规定了半导体器件保护用熔断体的额定值、正常使用下的温升、耗散功率、时间一电流特性、 分断能力、截断电流特性、It特性、电弧电压特性、试验和标志． 本标准适用于交流额定电压不超过1200V或直流额定电压不超过1500V的电路中具有半导体器 件的设备上使用的熔断体。