光电信息技术 第一章答案 有部分错误.docVIP

《光电技术》习 题第一章 第一部分: 已知表示光电导体的灵敏度的G（光电增益）= βτ/ tL ，式中β为量子产额；τ为光生载流子寿命；tL为载流子在光电导两极间的渡越时间，如果在光电导体中自由电子与空穴均参与导电，请推导：G = β(τnμn +τpμp )U/l2  式中τn和τp分别为自由电子和空穴的寿命；μn和μp分别为自由电子和空穴的迁移率。 答： G=βτ/tL tL=l/μE=l2/μU G=βτμU/l2 G = β(τnμn +τpμp )U/l2 简答P型与N型半导体杂质能级区别. 答：N型半导体掺有5价的杂质原子，如磷、砷。杂质引进的额外的电子占有恰在导带下方的某些分立的能级；其距离可为十分之几电子伏特。这些额外的电子容易被杂质原子释放出来并被激发至导带。于是，激发电子对半导体的电导率有贡献。 P型半导体掺有3价的杂质原子，如硼、铝。杂质引进空的分立能级，这些能级的位置很靠近价带顶。因此，容易把价带中一些具有较高能量的电子激发到杂质能级上。这个过程在价带中产生空态即空穴。 比较直线性光电导与抛物线性光电导的主要特性。 答：在直线性光电导的弛豫中，光电流都按指数规律上升和下降。在t=τ时，光电流上升到饱和值的（1- eq \f(1,e) ）,或下降到饱和值的 eq \f(1,e) ，上升和下降是对称的。显然，直线性光电导的弛豫时间与光强无关。 在非线性光电导情况下，光电导的弛豫现象比较复杂。它取决于复杂的复合机理，并且上升和下降都不对称，我们可以用( eq \f(1,Inαβb) ep /f(1,Inαβb )1/2来表示弛豫时间。光照开始后，经过这段时间，光电导增加到定态值tanh 1=0.75。而光照停止后，光电导在这段时间内减少到定态值的一半。显然，抛物线性光电导的弛豫时间与光强有关。光强越高，弛豫时间越短。 举一简例说明研究光电导的光谱分布有何实际应用。 答：（1）做特定的光谱特性的传感器 （2）起节省滤光片的作用 简述光生伏特效应与热释电效应的原因及其应用。 答：光生伏特效应：由光照引起电动势的现象。包括两种类型: (1)发生在均匀半导体材料内部；(2)发生在半导体的界面。pn结的空间电荷区的电场，称为自建电场。光照产生的电子空穴对，在自建电场作用下的运动，是形成光生伏特效应的原因。光生伏特效应的应用: (1)太阳能电池；(2)光电探测器件。 热释电效应：某些晶体的电极化强度随温度变化而变化，从而在晶体特定方向上引起表面电荷变化的现象。此效应只能发生在不具有中心对称的晶体中。某些晶体内正负电荷中心并不重合，有一定的电矩，其表面容易吸附自由电荷以抵消总电矩所产生的宏观电场。温度变化时，由于极化强度的改变而释放出表面吸附的部分电荷，从而表现出热释电效应。热释电效应的应用：红外探测器，热电激光量热计，夜视仪以及各种光谱反接收器等。 观察图1.1.3-4，指出本征光电导与杂质光电导的长波限位置。 答：金元素在锗中存在多重能级，在不加砷施主杂质时，金是受主，锗是P型半导体，从曲线中看到，长波限在0.05eV处。当加入少量砷施主杂质，此时锗晶体仍是P型，长波限相应于0.15eV。当加入足够多的砷施主杂质时，致使锗晶体从P型转变为N型，从曲线中可看到长波限相应于0.2eV。这与用其他方法测出的金锗中形成多重能级的电离能是一致的。 7. 设在半径为Rc的圆盘中心法线上，距盘圆中心为l0处有一个辐射强度为Ie的点源S，如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 l0 l0 S Rc 第1题图 答： Ie= eq \f(dΦe,dΩ) , dΩ= eq \f(πRc2,l02) ，d Φe=Ie eq \f(πRc2,l02) *8. 如图所示，设小面源的面积为?As，辐射亮度为Le，面源法线与l0的夹角为?s；被照面的面积为?Ac，到面源?As的距离为l0。若?c为辐射在被照面?Ac的入射角，试计算小面源在?Ac上产生的辐射照度。（选做题, 参见讲稿§1.2.1 光的有关概念与度量） L Le ?As ?Ac l0 ?s ?c 第2题图 用定义和求解。 *9. 从黑体辐射曲线图可以看出，不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长?m随温度T的升高而减小。试由普朗克热辐射公式导出 （选做题, 参见讲稿§1.2.1 光的有关概念与度量） 。 这一关系式称为维恩位移定律，其中常数为2.898?10-3m?K。 第二部分：