模电数电 电子资料-半导体器件的工作机理.ppt

有了内电场后，对半导体内载流子的作用为： ●阻碍多子的扩散运动 ● 有利于少子的漂移运动 在PN结开路（无外加电压）时，多子的扩散运动与少子漂移运动最终将达到动态平衡，此时扩散电流等于漂移电流，这时PN结呈现为电中性。 空间电荷层、势垒区、阻挡层、高阻区 阻挡层：指阻挡多数载流子的扩散运动； 耗尽层：指PN结内的载流子被耗尽； 动态平衡后的这个特殊区域称： 耗尽层的P区厚度和N区厚度可以不对称。 ● 正偏：P(＋) N(－) 外加电压的电场方向与PN结内建电场方向相反，P、N区的多子各自返回耗尽层，从而使PN结厚度变薄。多子的扩散运动将重新被大大增加。 偏置PN结-给PN结外加电压 而少子的漂移被削弱，漂移电流远远小于扩散电流。 此时，正向电流近似为多子的扩散电流。 此时，外加电场与内电场方向一致。P、N区内的多子各自向两头运动，使得空间电荷区厚度变厚。从而阻止了多子的扩散运动，扩散电流大大减小。而有利于少子的漂移运动。这时流过PN结的电流主要为漂移电流。 ● 反偏：P(－) N(＋) 少子浓度很低，因此反向电流很小，通常可以略去； 另外，在一定的温度下，靠热激发产生的少子浓度一定，与外加电压无关，故又称反向饱和电流。 可见，PN结有一个十分突出的性质，正偏时PN结正向导电，有较大电流流过；反偏时PN结截止，流过PN结的反向电流很小。 请问：如将PN结短路，PN结会有电流吗？ PN结的单向导电性 三、PN结的V—I特性 理论分析可得:在理想条件下流过PN结的电流与两端的电压之间关系为 VT：电压的温度当量，室温下VT?26mV IS：反向饱和电流 (1) 正向特性 PN结正偏时， 则 说明，正向电流大约每增加10倍，二极管两端电压只增加60mV。 (2)反向特性 PN结反偏时 在一定温度下,IS基本上为常数。请思考原因？ 则 (3)温度特性 温度升高时,反向饱和电流增大,正向电流也增大。 PN结正向电压具有负温度系数。 温度升高10℃，IS约增加1倍，电压减小25mV。 (4)击穿特性 当外加反向电压超过击穿电压时，反向电流急剧增大，称为反向击穿。 齐纳击穿： 外加电场将价电子直接从共价键中拉出来，使电子空穴对增多，使电流剧增。 齐纳击穿多发生在高掺杂的PN结中雪崩击穿多发生在低掺杂的PN结中 4V以下为齐纳击穿,7V以上为雪崩击穿,4--7V可两者都有。 雪崩击穿： 当电场足够强时，载流子的漂移运动被加速，将中性原子中的价电子“撞击”出来，产生新的电子空穴对。形成连锁反应（好象滚雪球一样），使电流剧增。 四、PN结电容 PN结电压变化将引起结区及结外侧载流子数量(电荷量)的变化，这一效应可用结电容Cj来模拟。 几十pF 反偏时以垫垒电容为主(Barrier) 正偏时以扩散电容为主（Diffusion） 多子扩散到对方后，成为对方的少子。因此，结边缘有一少子浓度分布曲线。当外加正偏电压增大，浓度分布曲线变化相当于电荷量变化。 CD(扩散电容)：PN结正偏 P区少子电子浓度 N区少子空穴浓度 少子浓度分布 当PN结外加反向电压增大或减小时，空间电荷区将产生宽窄的改变，这相当于两块平行夹板间距发生变化，把此时的情况看成平行夹板电容器，此时等效电容为 CB(垫垒电容)：PN结反偏 1.2.2 半导体二极管 二极管由一个PN结，经管壳封装后引出相应的电极而成。 电路符号 （P） （N） 空心三角形箭头表示实际电流方向： 电流从P流向N。 * 第二章 1.2.1 半导体材料与PN结 半导体器件的工作机理 导体 绝缘体 半导体 影响半导体的导电性能： 温度、纯度。 导电性能介于导体（如金、银等）与绝缘体（如陶瓷、橡胶）之间的材料； 主要有：Si（硅）Ge（锗）GaAs（砷化镓）Silicom Germanium Gallium arsenide 一、半导体材料及其电特性 以硅(Si)半导体材料为例： 1. 本征半导体 半导体材料高度提纯后的导体称为本征半导体。纯度为99.99999%以上，成为单晶体。 硅原子核外有14个电子,分三层围绕原子核运动,最外层有4个电子，受原子核的束缚力最弱。硅材料高度提纯后，其原子结构排列的十分整齐。 硅原子 简化原子模型 高度提纯后的硅原子结构 本征半导体的电特性 ? 硅单晶体原子结构排列的非常整齐； ? 每个原子外层的四个电子与相邻四周的原子外层电子形成稳定的共价键结构； ? 绝对零度时，价电子无法争脱本身原子核束缚，此时本征半导体呈现绝缘体特性； ? 在室温下，本征半导体非常容易受热激发产生电子—空穴