干法刻蚀工艺对TFTGLCDFlicker改善的研究-液晶与显示.pdf

第 卷 第 期 液晶与显示 ３０ 　 ６ 　　 Vol．３０　No．６ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１５ １２ 　 　 　 Dec．２０１５ 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１５０６Ｇ０９０４Ｇ０５ 干法刻蚀工艺对TFTＧLCDFlicker改善的研究 ∗ , , , , 李 鑫 卞丽丽 陈 曦 吴成龙 贠向南 　 　 ( , ) 福州京东方光电科技有限公司 福建 福州 ３５０３３０ : , ( ) , 摘要 为了对 中的闪烁不良进行改善 本文通过研究 中干法刻蚀 对 特性的影响 TFTＧLCD TFTＧLCD N lusEtch TFT p ( 、 ) , . , : / 以此对刻蚀条件 PowerGas进行优化 达到降低 PhotoＧI的目的 实验结果表明 当干法刻蚀主工艺条件为 Source off / 、 、 / / / , 条件为: / / 、 、 / Bias＝４k５kPress＝９０mTSF O＝１１k３kmlminATSte SourceBias＝２k２kPress＝１００mT SF ６ ２ p ６ / / , , . 时 由量产最初的 降至 闪烁由 降至 以下 干法刻蚀工艺条 O＝３k３kmLmin PhotoＧI ５８１５ ２０５２ １５％~３０％ １０％ ２ off 件的优化对 TFT特性以及闪烁有明显改善效果. : ; ; 关 键 词 干法刻蚀 特性 闪烁改善 　 　 TFT 中图分类号: 文献标识码: : / TN１４１９　　 A　　doi１０．３７８８YJYX０９０４ Im rovementofflickerTFTＧLCDb dretchin rocess p y y gp