第五章单元库设计.pptVIP

本章内容 5.1 单元库概念 5.2 标准单元设计技术 5.2.1 标准单元描述 5.2.2 标准单元库设计 5.2.3 输入、输出单元(I/O PAD) 1．输入单元 补充：输入保护电路 2．输出单元 (1)倒相输出I/O PAD (2)同相输出I/O PAD (3)三态输出I/0 PAD (4)开漏输出单元 (5)掩模编程的输入、输出单元 5.3 积木块设计技术5.4 单元库技术的拓展补充：门阵列、标准单元与可编程集成电路的比较  5.1 单元库概念 在晶体管规则阵列技术中，采用晶体管构造逻辑，设计所面对的基本单元是晶体管，那时的基本单元只有三个：增强型NMOS晶体管、耗尽型NMOS晶体管和增强型PMOS晶体管。即使是门阵列，所处理的也还是如何将MOS晶体管“搭建”成常用的基本逻辑门。 单元库技术所面对的直接是逻辑部件，即具有一定逻辑操作和运算功能的部件，它可能是一个逻辑门，也可能是一个功能块，甚至是一个功能相对完整的子系统。 为什么要这样做呢?因为在设计中需要具有优越性能的模块，希望获得全局和局部都优化的集成系统。全局优化是由设计系统对逻辑单元进行布局和布线优化迭代完成，生成符合某些目标函数要求的设计结果。而局部优化则是通过对基本逻辑单元精心设计完成，两者的结合才能得到满意的设计结果。晶体管规则阵列技术是很难实现全局和局部同时优化的要求的。 图5-1说明了采用门阵列结构所实现的两个基本逻辑门在性能上的差异。 在第2章中(见书19页)曾介绍了逻辑门的等效倒相器设计方法，讨论了如何获得对称的输出波形的技术，即NMOS管和PMOS管的宽长比设计依据。毫无疑问，用门阵列可以很方便地构造与非门和或非门。但是，因为门阵列的基本构造单元是MOS晶体管，并且每个NMOS管的尺寸相同，每个PMOS管的尺寸也相同，结果是导致在构造不同的逻辑门时，出现输出波形上的不匹配。 通过分析可以知道，如果以倒相器为对象来设计基本的晶体管尺寸，同样会使其他的逻辑门输出信号不对称。以任何一种逻辑门为参考都会有类似地结果。门阵列以整体结构优化、设计自动化程度高和设计周期短的优势在集成电路领域得到较为广泛的应用。但是，门阵列强调整体结构优化，在局部结构很难做到优化。究其根本原因是门阵列采用了尺寸相同的基本单元，通过不同的布线实现不同的逻辑，将必然出现能力的浪费和不足。要获得每个逻辑门都满意的设计结果，只有对每个逻辑部件都进行专门地设计，这就是单元库设计技术。 对常用的逻辑部件个体分别进行精心的设计、验证，构成单元集合---单元库，设计系统根据集成电路或集成系统的需要调用这些单元完成设计。 单元库设计技术分为两种主要的设计方法：标准单元设计技术和宏单元、积木块设计技术。 5.2 标准单元设计技术 5.2.1 标准单元描述 标准单元设计技术，是指采用经过精心设计的逻辑单元版图，按芯片的功能要求排列而成集成电路的设计技术。这些单元的版图具有以下三个特征： ?各单元具有相同的高度，可以有不同的宽度。 ?单元的电源线和地线通常安排在单元的上下端，从单元的左右两侧同时出线，电源、地线在两侧的位置要相同，线的宽度要一致，以便单元间电源、地线的对接。 ?单元的输入/输出端安排在单元的上下两边，要求至少有一个输入端或输出端可以在单元的上边和下边两个方向引出。引线具有上下出线能力的目的是为了线网能够穿越单元。 有的设计系统要求单元在上下边引出线的位置及间隔以某个数值单位进行量化。位置和间隔量化的目的是使CAD系统布线简洁，目标准确，避免复杂的具体数值计算。 由于单元设计上的规格化和标准化，这些单元被称为“标准单元”。这些单元经过人工优化设计，经过设计规则及性能模拟的验证，并通常要经过对实验芯片的实际测定，较之门阵列，它的面积与性能都有很大程度的改善。 图5-2是一个简单倒相器的逻辑符号、单元拓扑和单元版图。 单元库中每个单元都各具有3种描述形式， ①单元的逻辑符号(以L ‘logic’为特征)， ②单元的拓