电工电子技术-半导体基础知识.pptVIP

大家好，我们今天要讲的内容是“半导体基础知识”。 * 首先，我们来看这张地图:。 动作1：silicon valley，传说中的硅谷，世界最著名的电子工业集中地。 动作2：硅元素属于半导体，是制作电子器件的主要材料。这算是硅谷名字的由来吧。 * 那么，什么是半导体呢？半导体是一种常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。 动作1：我们都知道金属是导体，比如银，它的电阻率为1.6×10-8 欧米，非常小；绝缘体的电阻率大于108欧米，相比于导体来说，其阻碍电流的能力非常强。而半导体的电阻率其实非常接近于绝缘体，它之所以被广泛使用，是因为它的导电性能具有可控性。这一性能可了不得了，几乎改变了整个世界，我们来看看到底有什么玄机。 * 先来了解一下本征半导体。本征半导体是一种完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体。不知道，你是不是跟我一样，想起了冰糖。 动作1：回到半导体硅。 动作2：硅元素最外层有4个价电子，与相邻4个原子构成共价键结构，共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 动作3：这是共价键的共用电子对。 动作4：这是除去价电子后的原子核。 * 动作1：共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少(即载流子)，所以本征半导体的导电能力很弱，相当于绝缘体。都绝缘体了，那还有什么用啊？别着急，好戏在后面呢！ * 动作1：在热或光激发下，有一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 动作2：再看一遍，这是束缚电子，获得能量后，有价电子脱离共价键成为自由电子，同时共价键上留下了一个空穴。 动作3：自由电子和空穴的定向移动都能形成电流。电子的定向移动大家都知道，其运动方向与电流方向正好相反。空穴是怎么回事呢？ * 动作1：在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。 动作2：仔细看这个空穴。 动作3：我填补。 动作4：我再填补。 空穴的运动方向与电流方向一致。乍一听，不是很好理解。 * 我们打个比方，大合唱排练。 动作1：有个演唱家没来，第一排出现了一个空位。 动作2：指挥家要求，后面的人依次填补空位。 动作3：是不是也可以看成空位自己跑后面去了。 空穴导电的道理是一样的。 * 动作1：所以，本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 动作2：本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 动作3：温度越高?载流子的浓度越高?本征半导体的导电能力越强。 这控制力也太弱了，所以我们要下猛料，掺杂吧！ * 动作1：杂质半导体是在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，使半导体的导电性发生显著变化，以实现我们要的可控性。 动作2：一种叫做N型半导体，是在硅或锗晶体(四价)中掺入少量的五价元素磷，从而使自由电子浓度大大增加。 动作3：这是五价磷原子。 动作4：这是多余的电子。 动作5：N型半导体的多数载流子为电子，少数载流子为空穴。多子数量取决于掺杂浓度，少子数量取决于温度。 由于多子自由电子带负电，Negative，所以被称为N型半导体。 * 动作1：另一种叫做P型半导体，在硅或锗晶体(四价)中掺入少量的三价元素硼，使空穴浓度大大增加。 动作2：这是三价硼原子。 动作3：这是多余的空穴。 动作4：P型半导体的多子为空穴，少子为电子。而多子空穴带正电，Positive，所以被称为P型半导体。 * 这是杂质半导体的表示方法 动作1：P型半导体，Positive，多子为空穴，少子为电子。 动作2：N型半导体，Negative，多子为电子，少子为空穴。 * 小结 动作1：半导体的导电性能具有可控性，是制作电子器件的主要材料。 动作2：本征半导体的导电能力很弱，主要由材料的本征激发所决定。 动作3：杂质半导体中起导电作用的主要是多子，多子数量取决于掺杂浓度，少子数量取决于温度。 动作4：N型半导体中电子是多子，空穴是少子；P型半导体中空穴是多子，电子是少子。 * 好了，这节课就到里，下次再见吧！ * 半导体基础知识 电工电子技术 半导体(Semiconductor)：一种常温下导电性能介于导体(Conductor)与绝缘体(Insulator)之间的材料。 半导体基础知识 1. 导体：低价元素，如金属元素，银1.6×10-8 Ω·m。 2. 绝缘体：高价元素或高分子物质，如惰性气体，电阻率＞108 Ω·m。 3. 半导体：导电性能具有可控性，如掺杂、光照和热辐射。 本征半导体 本征半导体：一种完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体，如硅和锗。 +4 +4 +4 +4 共价键共用电子对 +4表示除去价电子后的原