位错反应和扩展位错(材料科学基础).pptVIP

第 三 章 晶 体 缺 陷 （六） ——实际晶体结构中的位错 4. 位错反应(dislocation reaction) ： 分解后的这两个不全位错位于同一滑移面上，其柏氏矢量夹角是60°，它们是互相排斥的，有分开的趋势，在两个不全位错之间夹了一片层错区。 通常我们将这种两个不全位错夹一个层错区的组态称之为扩展位错。 为了降低两个不全位错间的层错能，力求把两个不全位错的间距缩小，则相当于给予两个不全位错一个吸力，数值等于层错的表面张力γ（即单位面积层错能）。 两个不全位错间的斥力则力图增加宽度，当斥力与吸力相平衡时，不全位错之间的距离一定，这个平衡距离便是扩展位错的宽度 d。 运动过程中，若前方受阻，两个偏位错束集成全位错。当杂质原子或其它因素使层错面上某些地区的能量提高时，该地区的扩展位错就会变窄，甚至收缩成一个结点，又变成原来的全位错，这个现象称为位错的束集。 束集可以看作位错扩展的反过程。 由于扩展位错只能在其所在的滑移面上运动，若要进行交滑移，扩展位错必须首先束集成全螺位错，然后交滑移到 面上，重新分解成新的扩展位错，继续运动。 (1) bcc 滑移面有{111} {112} {113} 单位位错 b = a/2〈111〉bcc中易发生交滑移，没有扩展位错，没有位错分解 (2) hcp 全位错 (3)关于离子晶体的位错