第三章晶体硅太阳能电池的基本原理精选演示课件.pptVIP

由于半导体不是电的良导体，电子在通过p－n结后如果在半导体中流动，电阻非常大，损耗也就非常大。但如果在上层全部涂上金属，阳光就不能通过，电流就不能产生，因此一般用金属网格覆盖p－n结（如图栅状电极），以增加入射光的面积。 另外硅表面非常光亮，会反射掉大量的太阳光，不能被电池利用。为此，科学家们给它涂上了一层反射系数非常小的保护膜，将反射损失减小到5％甚至更小。一个电池所能提供的电流和电压毕竟有限，于是人们又将很多电池（通常是36个）并联或串联起来使用，形成太阳能光电板。 * 18年 3.3 太阳能电池的电学性能 3.3.1 标准测试条件 光源辐照度：1000W/m2 测试温度：250C AM1.5太阳光谱辐照度分布 * 18年 3.3.2 太阳电池等效电路 Rse表示来自电极接触、基体材料等欧姆损耗的串联电阻 Rsh表示来自泄漏电流的旁路电阻 RL表示负载电阻 ID表示二极管电流 IL表示光生电流 晶体硅太阳电池的等效电路 * 18年 根据等效电路 将p-n结二极管电流方程 代入上式的输出电流 式中q为电子电量， k为波尔兹曼常数，T为绝对温度，n为二极管质量因子。 理想情况下， Rsh→∞ ,Rse→0 * 18年 3.3.3 太阳电池的主要技术参数 伏安特性曲线（I-V曲线） 当负载RL从0 变化到无穷大时，输出电压V 则从0 变到VOC，同时输出电流便从ISC变到0，