拉晶工艺的相关知识.docVIP

招专业人才 上一览英才 拉晶工艺的相关知识 一、与杂质有关的几个概念 杂质来源：杂质类型施主杂质受主杂质电中性杂质 杂质位置：杂质能级浅能级杂质深能级杂质 深能级杂质金在锗中的能级及杂质补偿 （1）当锗中有N型浅施主杂质时 （2）当锗中有P型浅受主杂质时 二、掺杂剂的选择 1、电学性质：原子半径、核外电子结构 尽量选择与锗、硅原子半径近似的杂质元素作为掺杂剂，以保证晶体生长的完整性 N型掺杂：V族 P型掺杂：III族 2、物理化学性质：固溶度、蒸发系数、分凝系数、扩散系数 杂质原子半径越大，特征原子构型与锗、硅 的越不同，它们在锗、硅中的固溶度越小。III，V族在锗，硅中固溶度大，快蒸发杂质的掺杂不宜在真空而应在保 护性气氛下进行，采用投杂法分凝系数远离 1 的杂质难于进行重掺杂。 三、根据杂质在晶体中的扩散系数选择 在高温工艺中，如扩散、外延，掺杂元素的扩散系数小一览英才网 是基于行业垂直细分和区域横向细分的网络招聘网站平台，国内各行业各地区首选求职招聘网站平台！ 招专业人才 上一览英才 些好 快扩散杂质：H，Li, Na, Cu, Fe, K, Au, He, Ag, 慢扩散杂质：Al,P,B,Ga, Tl, Sb，As 四、常用掺杂剂 Si N型：P P型：B Ge N型：Sb P型：Ga 掺杂办法：共熔 投杂（体单晶生长中） 热扩散掺杂、离子注入掺杂（平面工