南京邮电大学模拟电子线路第3章场效应管及其基本电路.pptVIP

K0400041S 模拟电子线路 二、N沟道耗尽型 MOSFET(Depletion NMOSFET) UGS=0，导电沟道已形成 B N ＋ 导电沟道（反型层） P 型衬底 N ＋ 图3.1.10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)电路符号 ( c ) D G S B 图3.1.10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)电路符号 3.1.3 场效应管的参数 一、直流参数 1.饱和漏极电流IDSS： 2.夹断电压UGSoff：当栅源电压uGS=UGSoff时，iD=0。 对应uGS=0时的漏极电流。 3.开启电压UGSth。 4.输入电阻RGS JFET，RGS在108~1012Ω之间; MOSFET，RGS在1010~1015Ω之间。 通常认为RGS →∞。 二、极限参数 (1)栅源击穿电压U(BR)GSO。 (2)漏源击穿电压U(BR)DSO。 (3)最大功耗PDM：PDM=ID·UDS 三、交流参数 1.跨导gm 对JFET和DMOSFET 那么 对EMOSFET 那么 2.输出电阻rds 恒流区的rds可以用下式计算 UA为厄尔利电压。 D G S D G S N 沟道 P 沟道 JFET 一、各种场效应管的符号对比 3.2.1 场效应管工作状态分析 3.2 场效应管工作状态分析及其偏置电路 D S G B D S G B D S G B D S G B N 沟道 P 沟道 增强型 N 沟道 P 沟道 耗尽型 MOSFET JFET：利用栅源电压（ 输入电压）对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流）的控制。 MOSFET：利用栅源电压（ 输入电压）对半导体表面感生电荷量的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流）的控制。 FET 输入电压 输出电流 G S S D uGS iD 二、各种场效应管的特性对比 i D u G S U G S off 0 I DSS I DSS U G S th 结型P沟 耗尽型 P沟 增强型 P沟 MOS 耗尽型 N沟 增强型 N沟 MOS 结型 N沟 N沟道： P沟道： 图3.2.1 (a)各种场效应管的转移特性对比 N沟道： P沟道： u D S i D 0 线性可变电阻区 0 1 2 3 4 5 6 0 1 2 3 -1 -2 -3 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 结型 P沟 耗尽型 MOS P沟 -3 -4 -5 -6 0 -1 -2 0 1 2 3 -1 -2 -3 3 4 5 6 7 8 9 结型 N沟 耗尽型 增强型 MOS N沟 U GS / V 增强型 U GS / V 图3.2.1(b)各种场效应管的输出特性对比 N-FET P-FET PNP-BJT NPN-BJT 截止 饱和/可变电阻 放大 三、BJT与FET工作状态的对比 四、场效应管工作状态的判断方法 1.假设处于截止状态 2.假设处于放大状态 或 或 指导思想：假设处于某一状态，然后用计算结果验证假设是否成立。 R D 10V R G V U DD 3.3k 100k -2V U GG 例 3.2.1 判断图3.2.2所示的场效应管电路，管子的IDSS=3mA,UGSoff=-5V，管子工作在什么区间？ 图 3.2.2 场效应管电路 1.假设处于截止状态 应有 而 2.假设处于放大状态 应有 而 R D 10V R G V U DD 3.3k 100k -2V U GG 满足 故管子工作在放大区。 图 3.2.2 场效应管电路 3.2.2 场效应管偏置电路 偏置电路 自偏置电路 分压偏置电路 确定直流工作点方法 图解法 解析法 图3.2.3场效应管偏置电路 R D U DD R S u i R G V R D U DD R S u i R G2 R G1 (b)分压偏置电路 (a)自偏置电路 只适宜 JFET、DMOSFET 适宜所有FET 一、自偏置电路 栅源回路直流负载线方程 R D U DD R S u i R G V 图3.2.4 (a)图解法求自偏压电路的直流工作点 Q 解析法：由电流方程及栅源直流负载线方程联立求解 R D U DD R S u i R G V 图3.2.4 (b)图解法求分压偏置电路直流工作点 二、分压偏置电路 栅源回路直流负载线方程 R D U DD R S u i R G2 R G1 R D U DD R S u i R G2 R G1 解析法：由电流方程及栅源直流负载线方程联立求解 若输入为正弦量，上式可改写为 通常rds较大，Uds对Id的影响可以忽略，则 3.3.1 场效应管的低频小信号模型 3.3