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6.3.3 分布布拉格反射（DBR）结构 AlGaInP采用的GaAs衬底是吸光材料；InGaN采用的Si衬底也是吸光材料，造成光效的损失。 解决衬底吸光问题的一个方法是采用分布布拉格反射（Distributed Bragg Reflector, DBR）结构 6.3.4 透明衬底技术 透明衬底技术可有效的提高光输出，AlGaInP LED在636nm时获得23.7%的外量子效率 电流扩展层 P型层电阻较高，电极的电流注入无法均匀的扩散到整个芯片平面，造成所谓电流拥挤效应。 实用的大功率LED芯片基本都须要采用电流扩展层。AlGaInP采用GaP或AlGaAs电流扩展层, InGaN采用Ni/Au或ITO扩展层。 电流扩展层的使用，可以使LED发光有效增强。 6.3.7 表面纹理结构 由于芯片表面存在全反射界面，LED的卒取效率不到20% 表面纹理技术就是通过破坏表面的全反射界面，来提高卒取效率的一种方法 包括表面粗化和表面光子晶体两种方式。 Appl.Phys.Lett. 86 ,052108(2005) Proc. SPIE 5941, 2005，59410M 6.4.5 寿命 对于单色光LED或白光LED（不考虑色温时）可根据不同应用要求，取光通量衰减到初始值的50％或70％作为失效判据。 Pt = P0 exp(-βt) P0为初始光通量(或光功率)；Pt为加温加电后对应某一工作时间的光通量（或光功率）；β为某一结温下的退化系数；t为某一产品的试验截止时间。 一般采用加速老化的方法来外推LED的寿命，加速的方法包括高电流或高温的方法。 目前，白光LED的寿命在2~10万小时 6.4.7 热阻 热阻的物理定义是沿热传导路径上的温差与该热传导路径上的耗散的功率的比值，用公式表示为： A和B分别代表传热路径中的高温节点和低温节点。对于LED来说，A节点是指芯片的结区，而B节点则是根据不同的定义取定的参考点。 9.4.4 氧化铟锡（ITO） 氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)一种铟（III族）氧化物?(In2O3) and?锡（IV族）氧化物?(SnO2)的混合物，通常质量比为90% In2O3，10% SnO2 禁带宽度3.75~4.0eV,在可见光区的透过率在90%以上。 重掺杂，载流子浓度在1019~1021cm-3之间，具有优良的导电性，大量用于LED芯片的电流扩展层和增透层 通常是用电子束蒸发、物理气相沉积、或者一些溅射沉积技术的方法沉积到表面 铟的价格高昂和供应受限、ITO层的脆弱和柔韧性的缺乏、以及昂贵的层沉积要求真空，其它取代物正被设法寻找。 芯片制造 (Chip Fabrication) 四元 (AlGaInP) 氮化镓 (GaN) Sapphire n-GaN p-GaN Au Sapphire n-GaN p-GaN TCL or ITO SiO2 Pad (CrPtAu) p- GaP p- AlGaInP n- AlGaInP n- GaAs p- GaP p- AlGaInP n- AlGaInP n- GaAs P-Pad 背金 P-Pad P-Pad N-Pad TCL 倒装芯片技术（Flip chip） 普通平面工艺LED 倒装金属衬底垂直LED 优点：垂直电阻小，电压低 缺点：工艺复杂 优点：工艺较简单 缺点：衬底太厚，引起光损； 平面电阻较大，电压较高； 改进：衬底减薄，背镀 LED的封装方式 小功率LED封装 常规小功率LED的封装形式主要有： 引脚式封装； 表面贴装式SMD LED； 食人鱼Piranha LED； 小功率LED封装流程 electrodes semiconductor chip epoxy dome bond wires “silver cup” reflector A packaged LED Different parts of an LED 来料检验 晶片扩张 点胶作业 固晶作业 固晶站点品质检验 银浆烧结作业 超声热压焊 焊线站品质检验 灌胶机作业 LED配胶作业 长烤作业 封装站品质检验 切中断作业 LED电性测试 切全断作业 QA作业 发光二极管技术参数测试 标准封装流程： 功率LED的封装流程 封装流程： 配荧光粉 固化 固胶 1、清洗支架芯片芯片 2、点胶 3、固晶 5、焊线 8、固化与后固化 7、灌胶 6、烘烤除湿 9、测试 4、烧结 1、清洗支架芯片芯片 2、点胶 3、固晶 4、烧结 13.1 发光器件的效率 发光效率： 单位电功率（W）下输出的光通量（lm) 功率效率：输入功率（W）转变成辐射功率(W)效率