电力电子半导体器件(gto).pptVIP

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  • 2019-11-21 发布于湖北
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第六章 可关断晶闸管(GTO) §6.1 GTO结构及工作原理 §6.2 特性与参数 §6.3 GTO的缓冲电路 §6.4 门极控制技术 §6.5 GTO的串并联 §6.6 GTO的过电流保护 §6.7 GTO的应用 ②电路参数的影响: a.串并联电阻和电容的影响 GTO门极回路中串联电阻,将阻碍门极电流的抽出。若电阻过大且门极电压不高,会使门极电流过小,导致阳极电流的关断能力下降,甚至会出现关不断的现象。一般,大功率GTO应用中该电阻只是毫欧数量级,有时根本不串电阻并尽量缩短门极引线长度,以便减小门极电阻和不必要的引线电感。 门极回路中并联电阻或电容,相当于外加短路发射极,可以提高GTO的dv/dt耐量,增加热稳定性。并联电阻越小,电容越大,阳极电压的温度范围越宽,热稳定性越好。 b.串联电感的影响 门极串联微亨级小电感,可以限制门极电流上升率,提高关断能力。由于电感的作用,在门极电流下降时,延长其作用时间,等效加宽关断信号宽度。另外,电感产生的反向电压可使门极处于短时间的雪崩状态,有利于载流子从门极抽出,使可关断阳极电流增加。 串入电感,使GTO的存储时间,下降时间和雪崩时间均加长,关断增益提高,尾部电流的起始值IT1减小。 c. 门极反偏电压的影响 如上图,门极反偏电压越高,可关断阳极电流越大;阳极dv/dt耐量越大,有利于GTO安全运行。 四、

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