半导体测试器件和芯片测试.ppt

一、半导体器件简介;（一）半导体二极管; 图 半导体二极管的结构及符号 （c）集成电路中的平面型结构; （d）图形符号 ;一般二极管和稳压二极管; 稳压二极管： 利用PN结在一定的反向电压下,可引起雪崩击穿.这时二极管的反向电流急速增大，但反向电压基本不变. 因此，可以作为稳压电源使用。反向击穿电压数值在40V以上的是二极管，低于40V的稳压管。 ;图一普通二极管，第一个是国内标准的画法；图二双向瞬变抑制二极管；图三分别是光敏或光电二极管，发光二极管；图四为变容二极管；图五是肖特基二极管；图六是恒流二极管；图七是稳压二极管； ;双极型晶体管的几种常见外形 （a）小功率管 （b）小功率管 （c）中功率管 （d）大功率管 ;;B;B; 图1.16三极管电路的三种组态 （a）共发射极接法;（b）共基极接法;和各极电流（c）共集电极接法 ; 图1.15三极管放大需要的电源接法 （a）NPN型; （b）PNP型;场效应晶体管（Field Effect Transistor,简称FET）是与双极性晶体管工作原理不同。 双极性晶体管是利用基极电流控制集电极电流，电流控制型的放大元件。带有正电荷的空穴及负电荷的电子，具有放大功能的意义，故称为双极性。 MOSFET是利用栅极电压来控制漏极电流的电压控制型的放大元件。 FET的特征是在低频带有极高的输出阻抗为1011～1012Ω（MOS FET更高）另外，FET比双极性晶体管噪音小，可作为功率放大器使用。;结构和电路符号;N 沟道耗尽型;N;P 沟道耗尽型;MOSFET 的分类和符号;二、半导体器件的性能测试 二极管的测试 双极晶体管测试 MOS结构C-V特性测试;1、 二极管的主要测试参数;二极管I-V特性;稳压二极管;硅管的正向管压降一般为0.6~0.8V，锗管的正向管压降则一般为0.2~0.3V。 ;图7.13;测试电路;1、三极管的主要测试参数;图7.2 共射双极型晶体管的放大特性;图 共射双极型晶体管反向击穿特性;2、双极晶体管的性能测试 ;测试设备—晶体管参数测试仪;三、MOS结构的C-V特性测试;C-V特性测试简介 MOS（金属－氧化物－半导体）结构的电容是外加压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线，简称C－V特性。C-V曲线与半导体的导电类型及其掺杂浓度、SiO2-Si系统中的电荷密度有密切的关系。 利用实际测量到的MOS结构的C-V曲线与理想的MOS结构的 C-V特性曲线比较，可求得氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度、氧化层中可动电荷面密度和固定电荷面密度等参数。 在集成电路特别是MOS电路的生产和开发研制中，MOS电容的C-V测试是极为重要的工艺过程监控测试手段，也是器件、电路参数分析和可靠性研究的有效工具。 ; ; ;P型衬底的MOS;P型衬底的MOS; ; 半导体与二氧化硅界面之间的电荷充放电时间常数较长，通常大于10-6s，所以界面态电容只在低频或准静态情形下对MOS电容有贡献。对于1MHz的高频C-V测量，通常不考虑界面态电容的影响。; N型衬底MOS的高频和低频C-V特性;P型衬底MOS： i. 加负栅压时，半导体与氧化层界面出现空穴堆积，对应最大电容 ii. 加正栅压时，半导体与氧化层界面出现空穴耗尽，对应最小电容; ; ; ;（2）平带电容CFB的计算公式：; ;氧化层正的固定电荷越多，平带电压负值越大，整个C-V曲线向更负电压推移。;（4）氧化层厚度tox，由测试的最大电容C max确定: ;(5)半导体掺杂浓度: 根据Cmin/Cox或CFB/Cox的电容比确定;实验设备 所用仪器设备主要包括三部分: 测试台(包括样品台、探针、升温和控温装置等) 高频（1MHz或更高）hp4275A C-V测试仪 计算机;实验内容 ;第七章 复习题