刻蚀培训教材.ppt

摘 要;集成电路制造介绍;;集成电路制作过程;;刻蚀工艺基本概念;一、刻蚀的目的及作用;二、刻蚀过程与原理;湿 法 腐 蚀（WET ETCHING);湿法刻蚀原理;湿法腐蚀（WET ETCHING);湿法腐蚀槽示意图;主要的化学试剂;湿法刻蚀的优点及缺点;生产线上的主要用途;主要控制参数;刻蚀的方向性;干 法 刻 蚀;干法刻蚀（DRY ETCHING）;什么是等离子体;电离 Ionization 分裂 Dissociation 激发 Excitation;桶式等离子刻蚀机;平板式等离子刻蚀机;High density plasma (HDP) system;等离子刻蚀的基本方法;1.化学刻蚀 Chemical;2.物理刻蚀 Sputtering;3.离子增强刻蚀 Ion Enhanced Etching;等离子刻蚀的的速率比较;等离子刻蚀各种效果图;各种等离子刻蚀比较;干法刻蚀材料、气体及产物;侧壁保护的等离子刻蚀 Protective Ion Enhanced;侧壁保护刻蚀过程;侧壁保护效果图;终点侦测(End Point Detection);SF6 刻蚀 放射光谱图;典型终点检测曲线图;等离子刻蚀负载效应;干法刻蚀的优点及缺点;干法刻蚀在生产线上主要应用;干法刻蚀应用;三、刻蚀工艺的发展及我公司当前刻蚀状况;我公司当前用到的刻蚀方法主要是湿法腐蚀与等离子刻蚀，适用于线宽1.5um以上产品。 其中湿法腐蚀应用工序有： 1、氧化层腐蚀：如BL-ET、DI-ET、EI-ET、CW-ET、CO-ET等； 所用机台：湿法腐蚀台（7：1 BOE） 2、氮化硅去除：FN-WO 所用机台：磷酸槽（160℃） 3、湿法铝腐蚀：LA-ET 所用机台：铝腐蚀台 4、后处理：后处理1（硝酸）、后处理2（混酸4F）、 后处理3（显影液） 所用机台：酸槽;等离子刻蚀应用工序主要有： 1、氧化层刻蚀：DI-ET、CO-ET、VA-ET、PA-ET等； 所用机台：AME-8110、LAM-590、TEGAL-903 2、氮化硅刻蚀：AA-ET、CA-ET等； 所用机台： LAM-490、TEGAL-901 3、铝刻蚀：LA-ET、LB-ET。 所用机台： AME-8330 4、干法去胶： 所用机台：TEGAL-415、TEGAL-915;四、刻蚀工艺评价项目、方法与标准;刻蚀速率： 1、稳定性：反映工艺的可重复能力，要求波动范围在±10%以内。可以通过计算CPK大小来进行评价； 2、大小：大小直接决定机台通量，因此在稳定性及机台与产品承受能力满足要求的情况下，应尽量提高刻蚀速率。;均匀性： umiformity=（max-min）/（2×average) ×100% 1、片内均匀性： 一个硅片内不同点间速率偏差大小，越小越好，一般要求在5%以下。 2、片间均匀性： 不同硅片间速率偏差大小，越小越好，一般要求在5%以下。;CD 损失： 不同道次对CD LOSS要求不一。多数道次要求越小越好，但某些道次，如引线孔等，则有特殊要求。;选择比： 不同材质之间的刻蚀速率比。一般来说，所刻蚀材料对其他材料的选择比越大越好，一般要求大于3：1。但也有例外，如我们当前所用的通孔刻蚀工艺，就要求SiO2：PR的选择比在一定范围内，以保证能够刻出斜孔来。 ;过刻蚀： 因为要刻蚀材料的厚度以及刻蚀速率都会有一定的波动，为了保证刻蚀干净，一定量的过刻蚀是必须的。过刻蚀量越多，越能保证刻蚀干净。但过刻蚀会造成CD LOSS、还会对其它材质造成损伤，因此过刻蚀量的确定要根据材质与刻蚀速率均匀性、CD LOSS、刻蚀选择比等来综合确定，一般过刻蚀量在20%-40%之间为宜。;剖面（台阶形貌）： 台阶形貌对台阶的覆盖能力有很大影响。评价台阶形貌的主要有： 1、台阶角度（profile)：对某些道次来说，要求台阶要陡，如多晶刻蚀；对某些道次来说，则要求台阶要较缓，如引线孔刻蚀、通孔刻蚀等； 台阶越陡，覆盖能力越差，越缓，覆盖能力越好； 2、纵横比（Aspect ratio）： AR=height of feature/width of feature=h/w 纵横比越大，台阶越不易覆盖。;颗粒： 刻蚀过程中所产生的尘埃。越少越好，现在要求干法机台小于50颗，湿法小于30颗。;等离子损伤： 由于干法刻蚀刻蚀选择性差，特别是物理刻蚀。损伤程度与刻蚀的等离子强度、选择比、刻蚀时间等因素都有关。可接受水平，不同产品、不同的道次要求不一样。 比如当前我们有一个产品就不能采用干法刻蚀，因为下面有个光敏管，干法刻蚀的损伤会