集成电路工艺和版图设计参考.ppt

Jian Fang 版图数据交换文件 GDSII格式 CIF格式 EDIF格式 基本图形 基本操作 N－type Si SiO2 Pwell SiO2 光刻胶 MASK active MASK Active Si3N4 N－type Si SiO2 Pwell SiO2 光刻胶 光刻胶 MASK active MASK Active Si3N4 N－type Si SiO2 Pwell SiO2 光刻胶 光刻胶 Si3N4 N－type Si SiO2 Pwell SiO2 场氧 场氧 场氧 Pwell Si3N4 N－type Si SiO2 Pwell 场氧 场氧 场氧 Pwell N－type Si SiO2 Pwell SiO2 场氧 场氧 场氧 Pwell poly active pwell poly Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal N－type Si SiO2 Pwell SiO2 MASK poly 场氧 场氧 场氧 Pwell poly 光刻胶 N－type Si SiO2 Pwell SiO2 MASK poly 场氧 场氧 场氧 Pwell 光刻胶 poly N－type Si SiO2 Pwell SiO2 场氧 场氧 场氧 Pwell poly N－type Si SiO2 Pwell SiO2 场氧 场氧 场氧 Pwell poly active pwell poly N+ implant Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal N－type Si SiO2 Pwell SiO2 MASK N+ 场氧 场氧 场氧 Pwell poly 光刻胶 N－type Si SiO2 Pwell SiO2 场氧 场氧 场氧 Pwell 光刻胶 poly N+ implant S/D active pwell poly P+ implant Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal N－type Si SiO2 Pwell SiO2 MASK N+ 场氧 场氧 场氧 Pwell poly 光刻胶 光 S/D N－type Si SiO2 Pwell SiO2 场氧 场氧 场氧 Pwell S/D poly 光刻胶 P+ implant P+ 接触 N－type Si SiO2 Pwell SiO2 场氧 场氧 场氧 Pwell poly S/D P+ 接触 active pwell poly P+ implant N+ implant omicontact Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal N－type Si SiO2 Pwell SiO2 MASK Omicontact 场氧 场氧 场氧 Pwell poly S/D P+ 接触 active pwell poly N+ implant omicontact metal Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal N－type Si SiO2 Pwell SiO2 MASK metal 场氧 场氧 场氧 Pwell poly S/D P+ 接触 metal metal metal pwell active poly N+ implant P+ implant omicontact metal 双极型IC及工艺 N P N 基极 集电极 发射极 P N P 基极 集电极 发射极 C B E IB IC IE C B E IB IC IE NPN晶体管 PNP晶体管 VCE iC iB VCE(sat) iR 双极型晶体管输出特性 放大区 饱和区 电流放大能力； 电流驱动； 基极 发射极 N+ N- P N+ 集电极 基极 发射极 P+ N N P E B B C C N＋ C C B B E P P＋ P＋ P N＋ N BiCMOS: 双极(Bipolar)与CMOS相容技术。 BiCMOS可以将双极器件与CMOS器件制作在同一芯片上，使之具有双极电路的高速度、高驱动能力、高模拟精度，又具有CMOS电路的低功耗、高集成度等特性。 BiCMOS工艺较之CMOS工艺和双极工艺都复杂，制作周期长，产品成品率比CMOS低，成本比CMOS高。 高性能双极工艺与CMOS的