Q_214035ZWJY002-2019高灵敏光电探测器件APD-500型雪崩光电二极管详细规范.pdf

Q/ZWJY 无锡中微晶园电子有限公司企业标准 Q/ZWJY 002-2019 高灵敏光电探测器件APD-500 型 雪崩光电二极管详细规范 2019-09-06 发布 2019-09-06 实施 无锡中微晶园电子有限公司 发布 前 言 Q/ZWJY 002-2019 本规范是依据 GB/T 4589.1-2006 《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》, GB 12565-90 《半导 体器件光电子器件分规范》,并参照高灵敏雪崩探测器研发项目组编写的《硅雪崩光电探测器可靠性评价 细则》及 IEC 60747-12/QC720106 《纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的 APD 光电二极管空白详细规 范》编制的。 本规范规范性引用的文件： GB/T 4589.1-2006 半导体器件第 10 部分：分立器件和集成电路总规范 GB 12565-90 半导体器件光电子器件分规范 GB/T 4937.4-2012 半导体器件机械和气候试验方法 第 4 部分 GB/T 21194-2007 通信设备用的光电子器件的可靠性通用要求 GB/T 2423.5-1995 电子电工产品环境试验 GB 2689.1-81 恒定应力寿命试验和加速寿命试验方法总则 GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GJB 5022-2003 PIN、APD 光电探测器件通用规范 GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 GJB 8119-2013 半导体光电子器件通用规范 SJ/T 2354-2015 PIN、雪崩光电二极管测试方法 GB/T 19001-2016 质量管理体系要求 IEC 60747-12/QC720106：1997 半导体器件 第 12 部分 光电子器件分规范 本规范由无锡中微晶园电子有限公司产品部提出。 本规范性由无锡中微晶园电子有限公司批准。 本规范起草单位：无锡中微晶园电子有限公司。 本规范主要起草人：张 明 高灵敏光电探测器件APD-500 型雪崩光电 二极管详细规范 Q/ZWJY 002-2019 1 范围 本规范规定了 APD500 型雪崩光电二极管 （以下简称器件）鉴定和质量评定的详细要求。 2 引用文件 本规范符合 GB/T 4589.1-2006 及 GB 12565-90 的要求。 无锡中微晶园电子有限公司 电子元器件质量评定的根据： GB/T 4589.1-2006 《半导体器件 分立器件和集成电路总规 Q/ZWJY 002-2019 范》 GB 12565-90 《半导体器件光电子器件分规范》 A