《微电子学概论》B06.pptVIP

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  • 2019-11-10 发布于广东
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第三章 大规模集成电路基础 3. 1半导体集成电路概述 集成电路(Intergrated Circuit,IC) 芯片(Chip, Die) 硅片(Wafer) 集成电路的成品率: Y= 硅片上好的芯片数 硅片上总的芯片数 100% 成品率的检测,决定工艺的稳定性,成品率对集成电路厂家很重要 集成电路发展的原动力:不断提高的性能/价格比 集成电路发展的特点:性能提高、价格降低 集成电路的性能指标: 集成度 速度、功耗 特征尺寸 可靠性 主要途径:缩小器件的特征尺寸 增大硅片面积 功耗 延迟积 集成电路的关键技术:光刻技术(DUV) 缩小尺寸:0.25~0.18mm 增大硅片:8英寸~12英寸 亚0.1mm:一系列的挑战, 亚50nm:关键问题尚未解决 新的光刻技术: EUV SCAPEL(Bell Lab.的E-Beam) X-ray 集成电路的制造过程: 设计 工艺加工 测试 封装 定义电路的输入输出(电路指标、性能) 原理电路设计 电路模拟(SPICE) 布局(Layout) 考虑寄生因素后的再模拟 原型电路制备 测试、评测 产品 工艺问题 定义问题 不符合 不符合 集成电路产业

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