第四章材料分析方法.pptVIP

* 2）θ角越大，分辨本领越高。所以衍射花样中高角度线条的Kα1和Kα2双线可明显的分开。 3）X射线的波长越长，分辨本领越高。所以为了提高相机的分辨本领，在条件允许的情况下，应尽量采用波长较长的X射线源。 * 4）面间距越大，分辨本领越低。因此，在分析大晶胞的试样时，应尽可能选用波长较长的X射线源，以便抵偿由于晶胞过大对分辨本领的不良影响。 * 三、衍射仪法 50年代以前的X射线衍射分析，绝在多数是用底片来记录衍射线的。后来，用各种辐射探测器（即计数器）来进行记录———专用的仪器X射线衍射仪取代了照相法。 衍射仪测量具有方便、快速、准确等优点，它是进行晶体结构分析的最主要设备。 * 衍射仪的思想最早是由布拉格提出来的. 设想:在德拜相机的光学布置下，若有个仪器能接受衍射线并记录。那么，让它绕试样旋转一周，同时记录下旋转角和X射线的强度，就可以得到等同于德拜图的效果。 * X射线衍射仪由X射线发生器、测角仪、X射线探测器、记录单元或自动控制单元等部分组成。 * 1.X射线衍射仪结构与工作原理 * * * 衍射仪结构 * (1) 测角仪 * 测角仪由两个同轴转盘G，H构成，小转盘H中心装有样品支架，大转盘G支架（摇臂）上装有辐射探测器D及前端接收狭缝RS。X射线源S固定在仪器支架上，它与接收狭缝RS均位于以D为圆心的圆周上，此圆称为衍射仪圆，一般半径是185mm。当试样围绕轴O转动时，接收狭缝和探测器则以试样转动速度的量杯绕O轴转动，转动角可由转动角度读数器或控制仪上读出。 (2) 聚 焦 * * 衍射仪中聚焦原理的实现，它不是直接按爱瓦尔德图实现的。在爱瓦尔德图中，各衍射线的位置和试样间的距离随衍射角的不同而异，而在实际的衍射仪的测角仪中，则如图所示。检测器的接收狭缝J与样品中心的距离是固定的， 这只有当符合条件：r = R／(2 sinθ)时，衍射角为θ的衍射线才能聚焦在J处，进入接收狭缝。实际上这很难做到，但是当R取值较大并且限制光束的发散角α不太大时，可以用平的试样表面代替弯的表面。 * 2θ 样品 衍射X射线 Ｘ射线发生源 计数管 入射Ｘ线 由于一般的晶体不会是弯晶，所以严格意义上讲，入射和衍射并不会聚焦，但由于粉末晶体非常小，所以可以产生近似于聚焦的结果。为了减少误差，在入射和衍射光路程中，还设置各种狭缝，减少因辐射宽化和发散造成的测试误差。 * (3). 测角系统：测角仪光路上狭缝系统 1.梭拉狭缝用来限制X光垂直发散度。 2.散射狭缝用来限制样品表面初级射线水平发散度。 3.接收狭缝用来限制所接收的衍射光束的宽度。 * (4). 探测器 气体电离计数器：它是以吸收X射线光子后发生气体电离，产生电脉冲 过程为基础。 闪烁计数器：它是利用X射线激发某种物质产生可见的荧光，这种荧光再经光电倍增管放大，得到能测量的电流脉冲。 半导体计数器：它是借助X射线作用于固体介质中发生电离效应，形成电子—空穴对而产生电脉冲信号。 (5). 检测记录装置 ? * (a)正比计数管（PC） 在使用正比计数管时，两电极间需要加上1000至2000伏的直流高压。计数管在被X射线照射时，管内气体被电离，初始产生的离子对数目与X射线的量子能量成比例，在极间电压的作用下，离子定向运动并在运动过程中不断碰撞其它的中性气体分子，由此产生二次以至多次的电离并伴随着光电效应，此时电离的数目大量增殖从而形成放电。因此，每当有一个X射线量子进入计数管时，两极间将有一脉冲电流通过 * （b) NaI(Tl)闪烁计数管(SC） 每个入射X射线量子将使晶体产生一次闪烁，每次闪烁将激发倍增管光电阴极产生光电子，这些一次光电子被第一级打拿极（D1）收集，并激发出更多的二次电子，再被下一级打拿极（D2）收集，又倍增出更多的电子。从而形成可检测的电脉冲信号。 * （c)固体检测器(SSD)当X射线照射半导体时，由于射线量子的电离作用，能产生一些电子-空穴对.在本征区产生的电子-空穴对在电极间的电场作用下，电子集中在n区，空穴则聚集在p区，其结果将有一股小脉冲电流向外电路输出。 超能探测器:半导体阵列探测器，内置100多个微型探测器，探测器录谱效率以及强度提高100倍(相当于220KW的能力铜靶对)，分辨率保持很高。 * 2、 样品的制备 对于样品的准备工作，必须有足够的重视。常常由于急于要看到衍射图，或舍不得花必要的功夫而马虎地准备样品，这样常会给实验数据带入显著的误差甚至无法解释，造成混乱。下图示出了一个由于制样方法不当而得不到正确的衍射图的例子。 * 制样一般包括两个步骤： 首先，需把样品研磨成适合衍射实验用的粉末；然后，把样品粉末制成有一个十分平整平面的试片。如图：任何一种粉